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WSR130N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3mΩ@ 10V,20A 130A TO-220-3L
供应商型号: WSR130N06 TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR130N06

WSR130N06概述

    WSR130N06PT N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSR130N06PT 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,由Winsok半导体公司设计制造。这款MOSFET 主要用于电源开关应用、硬开关及高频电路,具有低导通电阻(RDS(ON))和高雪崩耐受能力。它特别适用于不间断电源系统和高密度电池设计,能够在宽温度范围内稳定工作。

    技术参数


    以下是WSR130N06PT的主要技术参数:
    - VDS (漏源电压):最大60V
    - VGS (栅源电压):±20V
    - ID@TC=25℃ (连续漏极电流):130A
    - IDM (脉冲漏极电流):390A
    - EAS (单脉冲雪崩能量):80mJ
    - PD@TC=25℃ (总功率耗散):140W
    - TJ (工作结温范围):-55°C 至 175°C
    - RθJA (热阻介面至环境):1.62°C/W
    - RθJC (热阻介面至外壳):0.89°C/W
    - RDS(ON) (静态漏源导通电阻):在VGS=10V, ID=20A时为3.0mΩ

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)):3.0mΩ,提供高效的能量转换和较低的功率损耗。
    - 高雪崩耐受能力(EAS):80mJ,增强系统可靠性。
    - 快速开关速度:优秀的开关特性和快速的开关时间(td(on)=16ns,tr=10ns),适合高频应用。
    - 高可靠性和稳定性:通过特殊工艺提高抗ESD能力和温度稳定性。
    - 良好的散热性能:采用优异的封装技术,有效散发热量,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 不间断电源系统:用于电池管理和稳压器,确保持续供电。
    - 工业自动化:用于电机驱动器和其他需要高频率切换的应用。
    - 电信基础设施:用于电源转换和电压调节模块。
    使用建议:
    - 在设计电路时,合理配置栅极电阻(RG),避免过度震荡。
    - 选择适当的散热片以增强热管理,特别是在高负载情况下。
    - 确保合适的印刷电路板布局,减少寄生电容和电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSR130N06PT 可与多种标准插件和焊接技术兼容,适用于不同的PCB设计。
    - 技术支持:Winsok半导体公司提供详尽的技术文档和在线支持服务,帮助客户解决问题并优化应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的栅极电压导致器件损坏
    - 解决方案:确保VGS不超过±20V的绝对最大值,可以通过限流电阻来保护。
    2. 问题:发热过高影响性能
    - 解决方案:使用较大的散热片或风扇来增强冷却效果,确保良好的热管理。
    3. 问题:频繁的雪崩事件导致器件失效
    - 解决方案:优化电路设计,减少瞬态电压尖峰,并确保足够的保护措施。

    总结和推荐


    总结:
    WSR130N06PT 在多个关键指标上表现出色,尤其在低RDS(ON)和高雪崩耐受能力方面。其卓越的开关特性和可靠性使其成为高功率应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其高效能和广泛的应用范围,强烈推荐WSR130N06PT 用于各类电源管理和高频切换应用。在选择和使用过程中需遵循最佳实践,以确保设备的长期稳定运行。

WSR130N06参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 130A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V,20A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220-3L

WSR130N06数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR130N06 WSR130N06数据手册

WSR130N06封装设计

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