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WSD20100DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD20100DN56 DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD20100DN56

WSD20100DN56概述

    WSD20100DN56 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSD20100DN56 是一款高性能的沟槽式 N-通道 MOSFET,具备极高的单元密度。它主要用于同步降压转换器和其他功率系统应用,提供出色的 RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷,以确保高效的能量转换。此外,该器件符合RoHS标准并具有绿色设备可用性。

    技术参数


    以下是 WSD20100DN56 的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS): 20V
    - 栅源电压(VGS): ±12V
    - 连续漏电流(ID@TC=25℃): 90A
    - 连续漏电流(ID@TC=100℃): 48A
    - 脉冲漏电流(IDM): 270A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 80mJ
    - 总功耗(PD@TC=25℃): 83W
    - 存储温度范围(TSTG): -55℃至150℃
    - 工作结温范围(TJ): -55℃至150℃
    - 热阻(RθJA): 瞬态状态下20℃/W,稳态状态下55℃/W
    - 结-壳热阻(RθJC): 1.5℃/W

    产品特点和优势


    1. 先进高密度沟槽技术:提高了单元密度,从而提高了效率。
    2. 超低栅极电荷:有助于降低开关损耗,提高能效。
    3. 优异的CdV/dt效应下降:降低了瞬态响应时间。
    4. 100% EAS保证:确保在极端条件下的可靠性。
    5. 绿色设备可用性:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 同步降压转换器:WSD20100DN56 适用于需要高效能量转换的应用,如电源系统和负载开关。
    - 使用建议:在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可与其他标准N-通道MOSFET应用兼容。
    - 支持:厂商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和应用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 过载时可能会发生什么?
    - A: 当电流超过IDM值时,可能会发生过热或损坏。建议使用适当的保护电路来防止这种情况。
    2. Q: 如何改善开关损耗?
    - A: 通过降低栅极电荷,可以减少开关损耗。建议优化驱动电路以实现这一点。

    总结和推荐


    综上所述,WSD20100DN56 N-Ch MOSFET 在高性能和可靠性方面表现出色。它特别适合于需要高效率和可靠性的应用,如同步降压转换器。鉴于其卓越的技术参数和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用这款产品。

WSD20100DN56参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD20100DN56数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD20100DN56 WSD20100DN56数据手册

WSD20100DN56封装设计

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