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HD60P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30nC@ 10V 13mΩ@ 10V,15A 50A TO-252-2
供应商型号: HD60P03 TO-252-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HAOLIN/深圳豪林电子 场效应管(MOSFET) HD60P03

HD60P03概述

    # 产品概述

    产品简介


    本产品为一款P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为60P03。该产品采用先进的沟槽工艺制造,提供了低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷及较低的门限电压(VGS)等优异性能。主要应用于电池开关、负载开关、电源管理等领域。

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 V |
    | 零门限漏极电流 | IDSS | VDS=-30V,VGS=0V -1 | μA |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V ±100 | nA |
    | 开启阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -1 | -1.5 | -3 | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-10A 20 | 30 | mΩ |
    | 前向跨导 | gFS | VDS=-5V, ID=-10A | 10 S |
    | 输入电容 | Ciss | - 1700 PF |
    | 输出电容 | Coss | - 258 PF |
    | 反向转移电容 | Crss | VDS=-15V,VGS=0V,F=1.0MHz 108 PF |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 最大漏极电流 | ID | TJ=150℃ | -35 -50 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | Note 1 -50 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - 60 | W |
    | 热阻抗 | RθJA | - 2.5 | ℃/W |
    开关特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 开启延迟时间 | td(on) | - 10 nS |
    | 开启上升时间 | tr | - 26 nS |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - 35 nS |
    | 关闭下降时间 | tf | VDD=-15V, ID=-1A, VGS=-10V, RGEN=6Ω 8 nS |
    | 总栅极电荷 | Qg | - 30 nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - 6 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V 9 nC |
    二极管特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 正向二极管电压 | VSD | VGS=0V, IS=-10A -1.2 | V |

    产品特点和优势


    1. 高功率和大电流处理能力:该产品能够承受高达-50A的连续漏极电流。
    2. 低导通电阻:VGS=-4.5V时,典型导通电阻为13mΩ;VGS=-10V时,典型导通电阻降低到17mΩ。
    3. 宽温度范围:-55°C至+150°C的工作温度范围使其适合多种严苛环境。
    4. 低栅极电荷:总栅极电荷仅为30nC,降低了开关损耗,提高了效率。
    5. 无铅产品:符合RoHS标准,更加环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池开关:适用于便携式设备,如手机、笔记本电脑等。
    - 负载开关:用于工业自动化控制,实现负载的快速切换。
    - 电源管理:集成于高效能电源系统中,提供高效的能量转换和控制。
    使用建议
    - 在电池开关的应用中,确保MOSFET的导通电阻尽可能低,以减少发热。
    - 在负载开关的应用中,合理配置散热措施,以避免过热问题。
    - 在电源管理系统中,选择合适的栅极驱动电路,确保开关速度和效率的最佳匹配。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:该产品提供了两种表面贴装封装(TO-252和TO-251),便于与各种PCB设计兼容。
    - 技术支持:供应商提供了详尽的技术文档和专业的技术支持,帮助客户快速上手和优化使用。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查栅极驱动电路,确保足够的栅极电荷 |
    | 过热 | 检查散热措施,增加外部散热片或风扇 |
    | 电磁干扰 | 添加屏蔽或滤波电路,减少噪声 |

    总结和推荐


    综合评估
    60P03 MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷、宽工作温度范围和环保材料等特点,在众多应用场景中表现出色。无论是电池开关还是电源管理系统,都能发挥重要作用。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用场景,我们强烈推荐使用60P03 MOSFET。无论是在工业自动化、消费电子还是通信设备中,它都是一个理想的选择。

HD60P03参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10V,15A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 30nC@ 10V
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-252-2

HD60P03厂商介绍

HAOLIN公司是一家专注于研发、生产和销售高品质工业产品的企业。公司主营产品包括但不限于精密机械部件、自动化设备、电子元件等,广泛应用于制造业、汽车行业、****、医疗设备等多个领域。

HAOLIN公司的产品分类如下:
1. 精密机械部件:包括高精度轴承、齿轮、传动系统等,用于提高机械设备的稳定性和效率。
2. 自动化设备:涵盖工业机器人、自动化生产线等,助力企业实现智能制造和提高生产效率。
3. 电子元件:包括传感器、控制器、集成电路等,为电子产品提供核心组件。

HAOLIN的优势在于:
1. 技术创新:公司拥有一支专业的研发团队,不断推出具有竞争力的新产品。
2. 质量保证:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 市场竞争力:凭借高性价比的产品和优质的服务,赢得了广泛的市场认可。

HD60P03数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HAOLIN/深圳豪林电子 场效应管(MOSFET) HAOLIN/深圳豪林电子 HD60P03 HD60P03数据手册

HD60P03封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.483
7500+ ¥ 0.4746
12500+ ¥ 0.462
50000+ ¥ 0.441
库存: 193395
起订量: 2500 增量: 2500
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最小起订量为:2500
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