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C3M0060065K

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: WOLFSPEED
产品描述: Wolfspeed N沟道MOS管, Vds=650 V, 37 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: UA-C3M0060065K
供应商: 海外现货
标准整包数: 30
WOLFSPEED 碳化硅场效应管 C3M0060065K

C3M0060065K概述


    产品简介


    产品类型:
    C3M0060065K 是一款由 Wolfspeed 生产的第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它属于 N 沟道增强型器件,适用于高功率、高频应用领域。
    主要功能:
    - 高阻断电压与低导通电阻
    - 快速开关速度,低电容特性
    - 内置快速体二极管,低反向恢复电荷
    - 环保无卤素,符合 RoHS 标准
    应用领域:
    - 电动汽车充电系统
    - 服务器电源供应
    - 太阳能光伏逆变器
    - 不间断电源 (UPS)
    - 直流到直流转换器

    技术参数


    基本电气参数:
    - 栅源击穿电压 V(BR)DSS:650V
    - 栅源阈值电压 VGS(th):1.8 V 至 3.6 V
    - 漏极连续电流 ID:37 A(TC = 25°C),27 A(TC = 100°C)
    - 最大栅源电压 VGS(max):±19 V
    - 最大功耗 PD:150 W(TC = 25°C,TJ = 175°C)
    开关和热特性:
    - 热阻从结到外壳 RθJC:0.99 °C/W
    - 热阻从结到环境 RθJA:40 °C/W
    寄生参数:
    - 输入电容 Ciss:最大 1020 pF
    - 输出电容 Coss:最大 80 pF
    - 反向传输电容 Crss:最大 9 pF
    反向二极管特性:
    - 正向压降 VSD:5.1 V(TJ = 25°C),4.8 V(TJ = 175°C)
    - 反向恢复时间 trr:11 ns(TJ = 175°C),16 ns(TJ = 25°C)
    - 反向恢复电荷 Qrr:151 nC(TJ = 175°C),110 nC(TJ = 25°C)

    产品特点和优势


    独特功能与优势:
    - 第三代 SiC MOSFET 技术
    - 高效系统设计,减少冷却需求
    - 增加功率密度,提高系统开关频率
    - 易于并联且驱动简单
    - 支持新型硬开关 PFC 拓扑结构(如 Totem-Pole)
    这些特点使得 C3M0060065K 在高效率、小体积和高性能的应用场合中具备显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 在电动汽车充电系统中作为高效功率转换器的组成部分
    - 在太阳能光伏发电系统中实现高效能量转换
    使用建议:
    - 为了最大限度地发挥其性能,应在推荐的温度范围内操作,确保良好的散热管理。
    - 使用适当的外部栅极电阻(RG(ext))可以优化开关性能,降低开关损耗。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - C3M0060065K 支持与其他符合标准的电子元器件兼容,方便集成到现有系统中。
    支持信息:
    - Wolfspeed 提供丰富的技术文档、SPICE 模型、参考设计和评估板支持,帮助用户进行产品开发和验证。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 选择合适的外部栅极电阻(RG(ext)),优化开关性能。 |
    | 过热 | 确保良好的散热措施,避免长期过载工作。 |
    | 开关延迟时间长 | 调整驱动信号,确保足够的栅极电压。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    C3M0060065K 的第三代 SiC 技术使其在高效率、低损耗方面表现出色。其紧凑的设计、优秀的热管理和易于并联的特点使其成为高功率应用的理想选择。
    推荐使用:
    强烈推荐 C3M0060065K 用于需要高效率、高可靠性且在苛刻环境中工作的应用场合,如电动汽车充电系统、太阳能光伏逆变器等。其出色的性能和良好的兼容性使它成为市场上极具竞争力的产品。

C3M0060065K参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
击穿电压 -
栅极电荷 46nC@ 15 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 79mΩ@ 13.2A,15V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 19V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.02nF@600V
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V@5mA
最大功率耗散 150W(Tc)
Idss-饱和漏极电流 -
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
23.6mm(Max)
通用封装 TO-247-4L
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 管装

C3M0060065K厂商介绍

Wolfspeed是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的研发和生产。公司主营产品包括:

1. 碳化硅(SiC):包括SiC功率器件、SiC MOSFETs、SiC二极管等,广泛应用于电动汽车、可再生能源、工业电源等领域。

2. 氮化镓(GaN):包括GaN功率器件、GaN射频器件等,应用于5G通信、**、**通信等领域。

3. 硅(Si):包括硅功率器件、硅MOSFETs等,应用于消费电子、工业控制等领域。

Wolfspeed的优势在于:

1. 技术领先:拥有全球领先的SiC和GaN技术,产品性能卓越。

2. 品质可靠:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。

3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

4. 持续创新:持续投入研发,推动SiC和GaN技术的创新和应用。

C3M0060065K数据手册

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WOLFSPEED 碳化硅场效应管 WOLFSPEED C3M0060065K C3M0060065K数据手册

C3M0060065K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ $ 6.5125 ¥ 54.5748
90+ $ 6.4125 ¥ 53.7368
210+ $ 6.1 ¥ 51.118
库存: 360
起订量: 30 增量: 30
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最小起订量为:30
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