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IMZA75R016M1HXKSA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 81nC@ 18 V 319W(Tc) 2.869nF@500V 15mΩ@ 41.5A,20V 750V 5.6V@14.9mA 1个N沟道 通孔安装
供应商型号: 4377090
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMZA75R016M1HXKSA1

IMZA75R016M1HXKSA1概述

    IMZA75R016M1H 750V CoolSiC MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    IMZA75R016M1H 是一款由 Infineon Technologies 生产的 750V CoolSiC MOSFET。这款产品采用硅碳化物(Silicon Carbide)技术,具备卓越的性能、可靠性和易于使用的特性。适用于高温度和苛刻的操作环境,它简化了系统的部署并提高了效率。此款 MOSFET 可应用于电动汽车充电基础设施、太阳能光伏逆变器、不间断电源(UPS)、储能和电池形成系统以及电信和服务器开关模式电源(SMPS)等领域。

    2. 技术参数


    以下是 IMZA75R016M1H 的关键技术和电气参数:
    - VDSS: 750 V
    - RDS(on) (典型值): 16 mΩ
    - QG (典型值): 81 nC
    - IDM (最大值): 333 A
    - Qoss (典型值 @ 500 V): 163 nC
    - Eoss (典型值 @ 500 V): 29.2 µJ
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 至 150°C
    - 栅源电压 (静态): -5 V 至 23 V
    - 热阻 (junction-case): 0.47 °C/W
    - 输出电容 (Coss) (典型值 @ 500 V): 236 pF
    - 有效输出电容 (Co(tr)): 326 pF

    3. 产品特点和优势


    IMZA75R016M1H 的显著特点和优势包括:
    - 高度稳健的 750V 技术:100% 雪崩测试通过,确保高可靠性。
    - 最佳 RDS(on) x Qfr:优异的 RDS(on) 和 Qfr 特性提供了高效的能量转换。
    - 独特的低 Crss/Ciss 和高 VGS(th):改善了栅极控制,降低了开关损耗。
    - Infineon 独有的倒装芯片键合技术:确保稳定性和可靠性。
    - 驱动源引脚:有助于简化电路设计和提高系统效率。

    4. 应用案例和使用建议


    IMZA75R016M1H 可应用于多种领域,如:
    - 电动汽车充电基础设施:适用于高功率和高频率应用,能效更高。
    - 太阳能光伏逆变器:由于其出色的硬开关效率,非常适合在太阳能系统中使用。
    - 不间断电源 (UPS):保证了在高压和高电流条件下的可靠运行。
    为了获得最佳性能,建议如下:
    - 避免过压和过流操作:确保不会超过最大额定值。
    - 优化 PCB 布局:减少杂散电感和耦合电容的影响,以提高开关行为。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IMZA75R016M1H 采用了标准的 PG-TO247-4 封装,与现有系统兼容。
    - 支持和服务:Infineon 提供了详尽的应用指南和技术支持,确保客户能够顺利实施产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - Q: 栅极电压超出范围会有什么后果?
    - A: 如果栅极电压超出操作范围(表4),设备的 RDS(on) 和 VGS(th) 可能会超过数据表中的最大值。为确保设备在整个预期寿命内正常工作,应考虑表2中的最大额定值及应用说明 AN2018-09。
    - Q: 如何优化散热管理?
    - A: 使用适当的散热器,并遵循推荐的安装扭矩(60 Ncm)。同时确保电路板布局合理,以最大限度降低杂散电感。

    7. 总结和推荐


    IMZA75R016M1H 是一款高度可靠和高效的 750V CoolSiC MOSFET,适用于高功率和苛刻的应用环境。其卓越的性能和耐用性使其成为多种应用场景的理想选择。我们强烈推荐在需要高效率和稳定性的系统中使用此产品。
    更多详细信息和应用指导请参考 [Infineon 官网](https://www.infineon.com)。

IMZA75R016M1HXKSA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 750V
通道数量 -
最大功率耗散 319W(Tc)
配置 -
击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.869nF@500V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 41.5A,20V
Idss-饱和漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.6V@14.9mA
栅极电荷 81nC@ 18 V
Vgs-栅源极电压 -
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IMZA75R016M1HXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMZA75R016M1HXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMZA75R016M1HXKSA1 IMZA75R016M1HXKSA1数据手册

IMZA75R016M1HXKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 121.0653
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