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HC3M0032120K

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计,额定电流高达63A。适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能,是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
供应商型号: HC3M0032120K TO-247-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 碳化硅场效应管 HC3M0032120K

HC3M0032120K概述

    # SiC Power MOSFET HC3M0032120K 技术手册

    产品简介


    基本信息
    HC3M0032120K 是一款基于第三代 SiC(碳化硅)技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO247-4L 封装形式。该器件以其出色的性能参数、高可靠性及广泛的应用领域而备受关注。它适用于高电压、大电流场景下的开关电源系统设计,特别适合于新能源、电动汽车充电器、高电压 DC/DC 转换器及开关模式电源等领域。
    主要功能
    - 高耐压:额定最大漏源电压为 1200V。
    - 高效率:低导通电阻(RDS(on)),有效减少导通损耗。
    - 快速开关:高频率开关能力,降低动态功耗。
    - 温度适应性强:宽工作温度范围(-40°C 至 +175°C)。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | VDS | 漏源击穿电压 | 1200 | - | 1200 | V | VGS = 0V, ID = 100μA |
    | VGS(th) | 门限电压 | 1.8 | 2.5 | 3.6 | V | VDS = VGS, ID = 11.5mA |
    | RDS(on) | 导通电阻 | 23 | 32 | 43 | mΩ | VGS = 15V, ID = 40A |
    | PD | 功耗 | 283 | - | 283 | W | TC = 25°C, TJ = 175°C |
    | EON | 开启切换能量 | - | 367 | - | μJ | VDS = 800V, VGS = ±4V/+15V |
    | EOFF | 关闭切换能量 | - | 123 | - | μJ | VDS = 800V, VGS = ±4V/+15V |
    工作环境
    - 操作温度范围:-40°C 至 +175°C
    - 储存温度范围:-40°C 至 +175°C
    - 最大焊接温度:260°C,持续时间 10 秒

    产品特点和优势


    - 第三代 SiC 技术,提供卓越的开关性能和高效能。
    - 低导通电阻(RDS(on))显著降低开关损耗,提升系统效率。
    - 快速反向恢复时间(trr),大幅减少体二极管的开关损耗。
    - 支持高达 175°C 的工作温度,提高系统的可靠性。
    - 全面兼容卤素自由与 RoHS 规范,环保无污染。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 新能源领域:光伏逆变器、储能系统。
    2. 电动汽车充电器:实现快速充电需求。
    3. 高电压 DC/DC 转换器:高效稳定的电源转换。
    4. 开关模式电源:高频率开关应用。
    使用建议
    - 确保电路设计中加入有效的散热措施,如热管散热器或散热片,以维持设备在高温下的稳定性。
    - 在设计中优化 PCB 布局,缩短 MOSFET 与驱动电路的距离,降低寄生电感对开关性能的影响。
    - 选择合适的外部栅极电阻(RG(ext)),平衡开关速度和能耗。

    兼容性和支持


    HC3M0032120K 采用标准 TO247-4L 封装,与同类 SiC MOSFET 具有良好的互换性。厂商提供详尽的技术支持,包括产品文档、应用指南及故障排查服务,帮助客户快速部署和解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程异常发热 | 优化外部栅极电阻值,减少开关损耗。 |
    | 门极驱动电压不稳定 | 确保门极驱动电路的信号稳定性和可靠性。 |
    | 设备无法正常启动 | 检查门极电压是否符合要求(±4V/+15V)。 |

    总结和推荐


    HC3M0032120K 是一款集高性能、高可靠性于一身的 SiC 功率 MOSFET,其在新能源和电动汽车领域的应用潜力尤为突出。结合其优越的技术参数和广泛的应用领域,该器件值得推荐用于高端电源管理解决方案。尽管价格较高,但其长期运行的节能效果将带来显著的成本优势。如果您需要一款在高电压、高效率和高可靠性要求下表现出色的功率器件,HC3M0032120K 将是一个明智的选择。

HC3M0032120K参数

参数
栅极电荷 -
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
击穿电压 -
最大功率 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -
通用封装 TO-247-4L

HC3M0032120K厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC3M0032120K数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 碳化硅场效应管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC3M0032120K HC3M0032120K数据手册

HC3M0032120K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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90+ ¥ 39.235
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