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IMBG40R025M2HXTMA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 36nC@ 18 V 3.8W(Ta),214W(Tc) 1.69nF@200V 32.1mΩ@ 15.7A,18V 400V 5.6V@5.6mA 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: REB-HVMOS1162
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMBG40R025M2HXTMA1

IMBG40R025M2HXTMA1概述

    # CoolSiC™ 400V G2 MOSFET IMBG40R025M2H 技术手册

    产品简介


    基本信息
    IMBG40R025M2H 是一款高性能的CoolSiC™ 400V 第二代 MOSFET,专为高频开关和同步整流设计。作为CoolSiC™ 系列的一部分,它采用了 Infineon 的创新技术和材料科学,以实现卓越的开关效率和热管理性能。
    主要功能
    - 高频率开关能力:适用于高频开关电路的设计。
    - 快速体二极管:具备低 Qfr 的体二极管,确保快速的反向恢复性能。
    - 温度依赖性低:导通电阻(RDS(on))受温度影响较小。
    - 推荐驱动电压范围:0V 至 18V。
    - 先进的连接技术:采用.XT 连接技术以提供最佳热性能。
    应用领域
    - 开关电源 (SMPS)
    - 太阳能光伏逆变器
    - 能量存储系统、不间断电源 (UPS) 和电池形成
    - Class-D 音频放大器
    - 电机驱动器

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键性能参数和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VBR(DSS) | 400 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 25.4 | mΩ |
    | 最大漏极电流 | ID(max) | 68 | A |
    | 输出电荷 | QOSS | 59 | nC |
    | 关断损耗 | EOSS | 4.2 | μJ |
    其他参数还包括:
    - 阈值电压范围:3.5V 至 5.6V
    - 静态门泄漏电流:100nA
    - 输入电容:1200 至 1690pF
    - 最大结温:175°C
    - 热阻抗:0.7°C/W(结壳)

    产品特点和优势


    IMBG40R025M2H 在多个方面展现了其优越性:
    - 高效的能量转换:由于其低导通电阻和优秀的热性能,能够在高频率下实现高效的能量转换。
    - 可靠的雪崩耐久性:经过 100% 雪崩测试,确保其在极端条件下的可靠性。
    - 出色的温度稳定性:导通电阻对温度变化不敏感,适合在宽温度范围内运行。
    - 优异的动态性能:快速的开关速度和较低的寄生参数使其成为高频率应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    IMBG40R025M2H 可广泛应用于多种场景,如:
    - 太阳能光伏逆变器:用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    - 不间断电源 (UPS):确保在电力中断时提供持续供电。
    - 电机驱动器:控制电机的速度和方向,提高效率并降低能耗。
    使用建议
    为了充分发挥 IMBG40R025M2H 的潜力,建议:
    - 优化 PCB 布局,尽量缩短引脚长度,减少寄生电感和电阻。
    - 使用合适的驱动电路,确保门极电压在推荐范围内。
    - 注意散热设计,特别是在高功率应用中,应采用良好的热管理措施。

    兼容性和支持


    IMBG40R025M2H 与其他标准封装的电子元器件具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有设计中。此外,Infineon 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档资源和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中过热 | 改善散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 门极驱动不稳定 | 检查驱动电路,确保门极电压稳定在 0-18V 之间 |
    | 高频切换时效率下降 | 优化 PCB 设计,减少寄生参数 |

    总结和推荐


    IMBG40R025M2H 是一款高性能、高可靠性的CoolSiC™ MOSFET,非常适合于高频开关和高效能要求的应用场合。凭借其卓越的导通电阻、快速开关速度和良好的温度稳定性,它在市场上具有很强的竞争力。总体而言,这款产品值得推荐给需要高性能电子元件的工程师和设计师。
    如果您正在寻找一款能够提升系统效率并减少功耗的 MOSFET,IMBG40R025M2H 将是一个理想的选择。

IMBG40R025M2HXTMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 32.1mΩ@ 15.7A,18V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 400V
通道数量 -
配置 -
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.6V@5.6mA
最大功率耗散 3.8W(Ta),214W(Tc)
击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 36nC@ 18 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.69nF@200V
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IMBG40R025M2HXTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMBG40R025M2HXTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1数据手册

IMBG40R025M2HXTMA1封装设计

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