处理中...

首页  >  产品百科  >  C3M0065090D

C3M0065090D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 100μA 30.4nC@ 15V 125KW 660pF@ 600V 125W 78mΩ@ 15V 36A 900V 2.1V(Typ) 18V TO-247 通孔安装
供应商型号: C3M0065090D
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C3M0065090D

C3M0065090D概述

    C3M0065090D Silicon Carbide Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    C3M0065090D 是由 Wolfspeed(现为Cree的子公司)生产的氮化硅(SiC)功率MOSFET,属于C3M系列。该器件采用氮化硅材料,具备高耐压、低导通电阻、高速开关能力和快速内在二极管等特点。C3M系列采用了创新的SiC MOSFET技术,能够显著提高系统效率,减少冷却需求,提升功率密度和系统的开关频率。其主要应用于可再生能源系统、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器以及开关模式电源供应等领域。

    技术参数


    以下是C3M0065090D的关键技术规格:
    - 耐压能力:900V(VDSmax)
    - 连续漏极电流:23A@100℃(ID)
    - 漏源导通电阻:65mΩ@15V@100℃(RDS(on))
    - 最大额定电压:900V(VDSmax),峰值脉冲漏极电流90A(ID(pulse))
    - 热阻抗:1.0°C/W(RθJC),40°C/W(RθJA)
    电气特性方面:
    - 漏源击穿电压:900V(V(BR)DSS)
    - 门限电压:1.8-3.5V(VGS(th))
    - 零栅极电压漏极电流:100μA(IDSS)
    - 栅极-源极泄漏电流:10-250nA(IGSS)
    - 转导电导:13S(gfs)
    - 输入电容:760pF(Ciss)
    - 输出电容:66pF(Coss)
    - 反向传输电容:5.0pF(Crss)
    开关特性:
    - 开启延迟时间:45ns(td(on))
    - 关断延迟时间:20ns(td(off))
    - 上升时间:13ns(tr)
    - 下降时间:8ns(tf)

    产品特点和优势


    - 更高的系统效率:由于低RDS(on),可以显著减少损耗,提高系统整体效率。
    - 降低冷却需求:由于出色的热性能,减少了对冷却系统的依赖。
    - 增加功率密度:小尺寸和高耐压使其能够在有限的空间内提供更高的功率。
    - 增加系统开关频率:快速开关能力使得系统能够实现更高的开关频率。

    应用案例和使用建议


    C3M0065090D 在多种电力转换和驱动系统中有着广泛的应用。例如,在电动汽车充电器中,它能有效提升充电速度和效率;在光伏逆变器中,它可以帮助提高能源利用率。此外,对于需要快速响应和高效能的应用场景,如工业自动化控制系统,也是理想的选择。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,应注意散热设计,以避免因过热导致性能下降。
    - 考虑到其快速开关特性,选择合适的驱动电路以减少寄生效应。
    - 针对极端温度环境下的使用,应确保符合相应的环境适应性要求。

    兼容性和支持


    C3M0065090D 支持标准的TO-247封装形式,易于集成到现有的电路板设计中。此外,Wolfspeed还提供了丰富的技术支持资源,包括SPICE模型、参考设计文档以及评估板等,方便开发者进行测试和验证。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的内容,以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:器件温度过高,影响性能。解决方案:优化散热设计,增加外部散热片或风扇,确保器件工作温度低于最高限制。
    - 问题:出现高频率开关噪声。解决方案:调整外部驱动电阻值,减小寄生电感,确保良好的电源去耦合。

    总结和推荐


    综上所述,C3M0065090D是一款高性能的SiC功率MOSFET,具有诸多独特优势。其高效率、快速开关能力和优异的热性能使其非常适合于现代电力转换系统中。然而,为了充分利用其潜力,需要仔细考虑散热管理和正确的电路设计。因此,强烈推荐给需要高效、高密度电力转换解决方案的应用场合。

C3M0065090D参数

参数
击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 78mΩ@ 15V
栅极电荷 30.4nC@ 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V(Typ)
最大功率 125W
Id-连续漏极电流 36A
通道数量 -
最大功率耗散 125KW
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 660pF@ 600V
Idss-饱和漏极电流 100μA
Vgs-栅源极电压 18V
FET类型 -
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.1mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

C3M0065090D厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C3M0065090D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
CREE 碳化硅场效应管 CREE C3M0065090D C3M0065090D数据手册

C3M0065090D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 67.574
500+ ¥ 66.3988
3000+ ¥ 65.2236
10000+ ¥ 63.4608
库存: 3150
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 675.74
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
ADP360120W3 ¥ 28420.0178
BSM180D12P3C007 ¥ 3287.9181
BSM300D12P2E001 ¥ 4093.429
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0080120D ¥ 83.6842
C2M1000170D ¥ 57.7242
C2M1000170J ¥ 0
C3M0032120K ¥ 146.2188
C3M0060065K ¥ 54.5748
C3M0060065K ¥ 36.708