处理中...

首页  >  产品百科  >  DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W(Ta),105W(Tc) 20V 3V@ 250µA 96.3nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2.8mΩ@ 25A,10V 22A,90A 4.515nF@30V PDI-50608 贴片安装 5.8mm*4.9mm*1mm
供应商型号: DMT6004LPS-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13概述

    DMT6004LPS: 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    DMT6004LPS是一款由Diodes Incorporated生产的60V N-通道增强模式MOSFET。它专为高效率电源管理设计,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能。适用于多种高性能应用,如隔离式直流-直流转换器的主开关、同步整流和负载开关等。

    2. 技术参数


    最大额定值(@TA = +25°C,除非另有说明)
    - 漏源电压 (VDSS): 60V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 持续漏电流 (TA = +25°C): 22A
    - 持续漏电流 (TA = +70°C): 16A
    - 最大连续体二极管正向电流: 100A
    - 脉冲漏电流 (10µs脉冲,占空比=1%): 200A
    - 脉冲体二极管正向电流 (10µs脉冲,占空比=1%): 200A
    - 雪崩电流 (L = 0.2mH): 40A
    - 雪崩能量 (L = 0.2mH): 160mJ
    热特性
    - 总功耗 (TA = +25°C): 2.5W
    - 热阻 (结到环境): 47°C/W
    - 总功耗 (TC = +25°C): 139W
    - 热阻 (结到外壳): 0.9°C/W
    - 工作和存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    电气特性(@TA = +25°C,除非另有说明)
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 60V
    - 漏源断开电流 (IDSS): ≤1μA (VDS = 48V, VGS = 0V)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VGS = ±20V, VDS = 0V)
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)): 1~3V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): ≤3.1mΩ (VGS = 10V, ID = 25A)
    - 二极管正向电压 (VSD): ≤1.3V
    - 输入电容 (Ciss): ≤4,515pF
    - 输出电容 (Coss): ≤1,477pF
    - 反向传输电容 (Crss): ≤135.3pF
    - 门电阻 (Rg): ≤0.64Ω
    - 总门电荷 (VGS = 10V): ≤96.3nC
    - 开启延迟时间 (tD(ON)): ≤9.9ns
    - 关闭延迟时间 (tD(OFF)): ≤53.5ns
    - 关闭下降时间 (tF): ≤32.9ns
    - 体二极管反向恢复时间 (tRR): ≤49.7ns
    - 体二极管反向恢复电荷 (QRR): ≤78.9nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 极低的RDS(ON)有助于最小化功率损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg): 低栅极电荷可以减少开关损耗。
    - 无卤素、符合RoHS标准: 符合环保标准,降低对环境的影响。
    - 高可靠性: 通过AEC-Q101标准认证,确保高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 隔离式直流-直流转换器的主开关
    - 同步整流器
    - 负载开关
    使用建议
    - 在使用时要注意散热设计,确保器件工作在规定的温度范围内。
    - 选择合适的电路布局以减少寄生电感,从而提高性能。
    - 注意栅极驱动信号的设计,以防止过压导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - DMT6004LPS与现有的标准电路板兼容,无需特殊改动。
    - Diodes Incorporated提供全面的技术支持,包括文档下载、样品请求和客户支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确保正确的电路布局?
    - 解答: 确保接地平面设计合理,避免寄生电感影响。
    - 问题: 在高温环境下如何保持稳定性?
    - 解答: 使用适当的散热片或散热器,确保良好的热传导。

    7. 总结和推荐


    DMT6004LPS以其卓越的性能和低功耗特性成为高效电源管理的理想选择。其高可靠性、低导通电阻和环保特性使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐在高效率电源管理和高性能应用中使用这款MOSFET。
    通过以上详细的技术手册内容分析,DMT6004LPS无疑是一款值得信赖且性能出色的电子元器件,适合用于需要高效率和高可靠性的各种应用场合。

DMT6004LPS-13参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8mΩ@ 25A,10V
配置 独立式
栅极电荷 96.3nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 22A,90A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.515nF@30V
最大功率耗散 2.1W(Ta),105W(Tc)
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 5.8mm*4.9mm*1mm
通用封装 PDI-50608
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMT6004LPS-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT6004LPS-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13数据手册

DMT6004LPS-13封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 3.7125
1250+ ¥ 3.5888
2500+ ¥ 3.5269
12500+ ¥ 3.496
库存: 12500
起订量: 100 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 371.25
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336