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ZXMN2B03E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W(Ta) 8V 1V@ 250µA 14.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 40mΩ@ 4.3A,4.5V 4.3A 1.16nF@10V SOT-23-6 贴片安装 3.1mm*1.8mm*1.3mm
供应商型号: 30C-ZXMN2B03E6TA SOT26
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA概述

    # ZXMN2B03E6 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    ZXMN2B03E6 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N 沟道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有20V的最大漏源电压(V(BR)DSS)。该器件采用了先进的沟槽技术,以实现低导通电阻和低门极驱动需求,适用于广泛的直流-直流转换器、电源管理、断开开关及电机控制等领域。
    主要特性:
    - 产品类型:N 沟道增强模式 MOSFET
    - 封装形式:SOT26(小型贴片封装)
    - 关键功能:高效率开关、快速响应速度、低功耗设计、绿色环保无卤素材料

    2. 技术参数


    以下是 ZXMN2B03E6 的核心技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | 20 | — | — | V |
    | 持续漏极电流(VGS=4.5V) | 5.4 | — | — | A |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | — | 0.040 | — | Ω |
    | 输入电容 | — | 1160 | — | pF |
    | 开启门极电荷 | — | 14.5 | — | nC |
    | 反向恢复时间 | — | 10.8 | — | ns |
    工作环境参数:
    - 最大功率耗散:1.7 W @ TA = +25°C
    - 热阻抗:RθJA = 73°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    ZXMN2B03E6 的核心亮点在于其优异的性能表现和节能环保的设计理念:
    - 低导通电阻:典型值仅为 0.040 Ω(@VGS = 4.5V),适合需要高效能传输的应用场景。
    - 快速开关:开关延迟时间为 2.9ns,可显著提高系统响应速度。
    - 绿色材料:完全符合 RoHS 标准,无铅无卤化物设计,是环保应用的理想选择。
    此外,其紧凑的 SOT26 封装形式适合密集电路布局需求。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMN2B03E6 适用于多种应用场景,例如:
    - DC-DC 转换器:适用于便携式电子产品,如智能手机和平板电脑。
    - 电机控制:用于家电、工业设备的高效马达驱动系统。
    - 电池保护电路:提供过流保护功能。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,需保证电路散热良好,尤其是在高温环境下。
    - 在高频开关场景中,考虑减少寄生电感对性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    ZXMN2B03E6 具备良好的通用性,能够轻松与其他主流 PCB 板组件集成,同时支持标准的 RoHS 和 Halogen-Free 认证。
    Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资料库、设计工具下载以及售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    以下为用户常见的问题及应对方法:
    - 问题:开启时发热严重?
    解决方案:检查散热片设计是否合理;避免长时间运行在满载条件下。
    - 问题:导通电阻偏高?
    解决方案:检查驱动电压是否达到额定值(至少 4.5V)。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMN2B03E6 是一款面向高要求应用场景的高性能 N 沟道 MOSFET,尤其适合注重高效能、低功耗和绿色环保的应用场合。凭借其出色的电气性能和卓越的可靠性,该产品在相关行业中具有强大的市场竞争力。
    推荐等级:强烈推荐,尤其对于寻求可靠性和可持续发展的工程师而言。
    此技术手册详细介绍了 ZXMN2B03E6 的全貌,希望对您的设计与选型工作有所帮助!

ZXMN2B03E6TA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 独立式quaddrain
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.16nF@10V
栅极电荷 14.5nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 4.3A,4.5V
Id-连续漏极电流 4.3A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2B03E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2B03E6TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2B03E6TA ZXMN2B03E6TA数据手册

ZXMN2B03E6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.705
100+ ¥ 1.364
750+ ¥ 1.221
1500+ ¥ 1.155
3000+ ¥ 1.0956
18000+ ¥ 1.0901
39000+ ¥ 1.0791
库存: 6000
起订量: 1 增量: 3000
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