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ZVN2110ASTOB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW 20V 1个N沟道 100V 4Ω 320mA TO-92-3 通孔安装
供应商型号: CSCS-ZVN2110ASTOB
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTOB

ZVN2110ASTOB概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVN2110A 是一款 N 沟道增强型垂直双扩散 MOS 场效应晶体管(DMOS FET)。它适用于多种电子电路应用,如开关电源、驱动电路和马达控制等。该器件以其高性能和高可靠性而著称,在各类电力管理和控制系统中具有广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    ZVN2110A 的关键技术参数如下:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V
    | 漏极-源极电压 | VDS 100 | V
    | 持续漏极电流(Tamb=25°C) | ID 320 | mA
    | 脉冲漏极电流 | IDM 6 | A
    | 功率耗散(Tamb=25°C) | Ptot 700 | mW
    | 结温及存储温度范围 | Tj:Tstg| -55 | +150 | °C
    | 漏极-源极饱和电压 | BVDSS | 100 | V | ID=1mA, VGS=0V
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th)| 0.8 | 2.4 | V | ID=1mA, VDS=VGS |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 1 | 100 | µA | VDS=100V,VGS=0 |
    | 正向跨导 | gfs | 250 | mS | VDS=25V, ID=1A
    | 输入电容 | Ciss 75 | pF
    | 输出电容 | Coss 25 | pF | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz |
    | 反向转移电容 | Crss 8 | pF
    | 导通延迟时间 | td(on) 7 | ns | VDD≈25V, ID=1A |
    | 上升时间 | tr 8 | ns
    | 关断延迟时间 | td(off) 13 | ns
    | 下降时间 | tf 13 | ns

    3. 产品特点和优势


    ZVN2110A 具备以下显著特点和优势:
    - 高耐压能力:100V 的漏极-源极电压使得 ZVN2110A 能够承受较高的电压波动。
    - 低导通电阻:在 VGS=10V 时,RDS(on)=4Ω,保证了在大电流下的高效运行。
    - 宽温度范围:能够在极端环境下(-55°C 到 +150°C)稳定工作。
    - 优秀的电气性能:零栅极电压下的漏极电流(IDSS)很低,表明其在低电压下的稳定性。
    - 快速开关速度:具有较低的导通和关断延迟时间,有助于提高系统的整体效率。
    这些特点使 ZVN2110A 在高压、高频、高可靠性应用中表现出色,具备较强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    ZVN2110A 主要应用于以下领域:
    - 开关电源:利用其高耐压能力和低导通电阻,可有效减少能量损耗,提高电源转换效率。
    - 马达控制:在马达驱动电路中,ZVN2110A 的快速开关特性能够帮助实现精确的电流控制。
    - LED 照明:适用于 LED 驱动电路,可以提高系统的整体性能。
    使用建议:
    - 在设计电源转换器时,合理配置散热措施,确保其在大功率应用中的安全可靠运行。
    - 在选择驱动电路时,考虑到 ZVN2110A 的高耐压能力,可适当降低对保护电路的要求。
    - 在高频应用场合下,要注意电容和电感的匹配,以确保系统工作的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    ZVN2110A 采用 TO92 封装,与市场上多数同类产品兼容。厂商提供详尽的技术支持,包括技术文档、应用指南和样品测试等,以确保客户在使用过程中能够获得有效的技术支持和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题:如何处理过高的漏极-源极电压?
    - 解决方案:增加外部保护电路,如齐纳二极管,用于限制电压峰值。
    - 问题:如何减少导通延迟时间?
    - 解决方案:减小栅极电阻,增加驱动电路的输出电流,从而加快开关速度。
    - 问题:在高温环境中,导通电阻是否会增加?
    - 解决方案:查阅温度相关曲线,根据具体应用场景调整驱动电压和电流,以保持最佳性能。

    7. 总结和推荐


    ZVN2110A 作为一款高性能的 N 沟道增强型垂直 DMOS FET,凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,适用于多种电力管理应用场景。其独特的低导通电阻和快速开关性能,使其在高压、高频应用中具有明显的优势。因此,我们强烈推荐在需要高效能和高可靠性的系统中使用 ZVN2110A。
    希望上述内容能帮助您更好地了解 ZVN2110A 的特性和应用,如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系我们。

ZVN2110ASTOB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 320mA
最大功率耗散 700mW
配置 独立式
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
包装方式 卷带包装

ZVN2110ASTOB厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN2110ASTOB数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN2110ASTOB ZVN2110ASTOB数据手册

ZVN2110ASTOB封装设计

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