处理中...

首页  >  产品百科  >  DMN33D8LTQ-7

DMN33D8LTQ-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 240mW(Ta) 20V 1.5V@ 100µA 0.55nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5Ω@ 10mA,4V 115mA 48pF@5V SOT-523 贴片安装
供应商型号: DMN33D8LTQ-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN33D8LTQ-7

DMN33D8LTQ-7概述

    DMN33D8LTQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMN33D8LTQ 是一款专为汽车应用设计的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它符合 AEC-Q101 标准,并提供生产件批准程序(PPAP)支持。这款 MOSFET 特别适用于无刷直流电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 30V
    - 门极-源极电压 \( V{GSS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 115mA @ TA = +25°C
    - 热特性
    - 总功率耗散 \( PD \): 240mW @ TA = +25°C, 300mW @ TA = +25°C
    - 结到环境的热阻 \( R{\theta JA} \): 521°C/W @ TA = +25°C, 420°C/W @ TA = +25°C
    - 电气特性
    - 开启电压 \( V{GS(TH)} \): 0.8 ~ 1.5V @ VDS = 3V, ID = 100μA
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - 5Ω @ VGS = 4V, ID = 10mA
    - 7Ω @ VGS = 2.5V, ID = 5mA
    - 输入电容 \( C{iss} \): 48pF @ VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    - 输出电容 \( C{oss} \): 11pF @ VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    - 门极电荷 \( Qg \):
    - 0.55nC @ VGS = 10V, VDS = 10V, ID = 250mA
    - 1.23nC @ VGS = 4.5V

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至 5Ω(@ VGS = 4V, ID = 10mA),保证了低功耗和高效率。
    - 低输入电容:仅 48pF(@ VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1.0MHz),有助于提高开关速度。
    - 快速开关速度:支持高频应用,适用于各种高速控制需求。
    - 环保材料:采用“绿色”材料,符合RoHS标准,适合环保要求高的应用场合。
    - 防静电保护:具备 2kV 的门极静电保护,确保在处理过程中不会因静电损坏。

    4. 应用案例和使用建议


    - 无刷直流电机控制:利用其低导通电阻和快速开关特性,可以有效降低电机控制系统的损耗,提高系统效率。
    - DC-DC 转换器:在高压降应用中,可以有效降低功耗并保持高效能。
    - 负载开关:可用于需要频繁切换的应用场景,如电池管理系统,确保稳定可靠的工作。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热问题,以防止过热导致性能下降。
    - 由于具有低输入电容和快速开关特性,建议用于高频开关电路中,以发挥最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型:SOT523 封装,尺寸小巧,便于安装。
    - 包装方式:可按需求选择 3,000 或 10,000 片/卷盘的包装形式。
    - 厂商支持:Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高温环境下,器件出现性能下降。
    - 解决办法:增加散热措施,如加装散热片或风扇,改善热管理。

    - 问题 2:器件在开关频率较高的情况下,温度升高。
    - 解决办法:优化电路设计,选择更高效的开关元件,减少电路损耗。

    7. 总结和推荐


    DMN33D8LTQ 在汽车电子和工业控制领域表现出色,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等显著优点。对于需要高性能和高可靠性的应用场合,这款 MOSFET 是一个非常理想的选择。因此,强烈推荐此产品给需要此类特性的客户。

DMN33D8LTQ-7参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 10mA,4V
Id-连续漏极电流 115mA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
栅极电荷 0.55nC@ 10 V
最大功率耗散 240mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 48pF@5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 100µA
通用封装 SOT-523
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN33D8LTQ-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN33D8LTQ-7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN33D8LTQ-7 DMN33D8LTQ-7数据手册

DMN33D8LTQ-7封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.4468
5000+ ¥ 0.4281
8000+ ¥ 0.417
12000+ ¥ 0.4095
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 1117
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0