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ZXMN6A09GQTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 3V@ 250µA 24.2nC@ 10 V 1个N沟道 60V 40mΩ@ 8.2A,10V 5.4A 1.407nF@40V SOT-223-3 贴片安装
供应商型号: ZXMN6A09GQTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A09GQTA

ZXMN6A09GQTA概述

    ZXMN6A09GQ 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A09GQ 是一款由 Diodes Incorporated 生产的60V N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于满足汽车应用的严格要求,如直流-直流转换器、电源管理功能、断路开关及电机控制等。这款MOSFET 具有高电压耐受能力、低导通电阻、快速开关速度和低栅极驱动等特点,确保了其在各种高压电力转换和控制系统中的高效运行。

    技术参数


    以下是ZXMN6A09GQ 的主要技术规格:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDSS | - | - | 60 | V
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | - | - | V
    | 持续漏极电流(@VGS=10V, TA=+25°C) | ID | 5.4 | - | 7.5 | A
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 33 | A
    | 持续源电流(体二极管) | IS | - | - | 3.5 | A
    | 脉冲源电流(体二极管) | ISM | - | - | 33 | A
    | 雪崩电流,L=0.1mH | IAS | - | - | 1.17 | A
    | 雪崩能量,L=0.1mH | EAS | - | - | 0.07 | mJ
    | 热阻,结至环境(@TA=+25°C) | RθJA | 62.5 | - | 32.2 | °C/W
    | 操作和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | +150 | °C

    产品特点和优势


    ZXMN6A09GQ的主要特点包括:
    - 在生产过程中进行无钳位感应开关(UIS)测试。
    - 高压耐受能力,支持高达60V的电压。
    - 极低的导通电阻,典型值为0.04Ω(@VGS=10V, ID=8.2A)。
    - 快速的开关速度,适用于高速切换的应用场景。
    - 低栅极驱动要求,降低了系统的功耗。
    - 低阈值电压,适合多种驱动电路设计。
    - 符合RoHS标准,采用无铅工艺。
    - 绿色环保,不含卤素和锑。
    - 经过AEC-Q101认证,符合PPAP标准,并在通过IATF16949:2016认证的工厂生产。
    这些特点使得ZXMN6A09GQ在汽车和其他高压电力系统中具有显著的优势和市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    ZXMN6A09GQ 广泛应用于多种汽车系统,如DC-DC转换器、电源管理功能、断路开关和电机控制。它非常适合用于需要高压处理能力和高效率转换的应用场景。
    使用建议:
    1. 在选择ZXMN6A09GQ 时,应注意其最大操作温度限制(-55°C 至 +150°C),以确保其能够在极端环境下正常工作。
    2. 为了达到最佳性能,建议使用适当的散热措施,以避免因热阻而影响性能。
    3. 在设计电路时,可以考虑利用其低栅极驱动特性和快速开关速度来提高整体系统效率。

    兼容性和支持


    ZXMN6A09GQ 尺寸为SOT223封装,适用于标准SMT制造工艺。根据手册,它与其他常见的电子元器件具有良好的兼容性。Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持,包括产品文档、应用指南和样品支持。对于制造商而言,这种广泛的支持有助于加速产品开发周期。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是用户可能会遇到的一些常见问题及其解决方案:
    1. 问题:如何确定ZXMN6A09GQ 是否适合我的应用?
    - 解答: 检查手册中的最大额定值和性能参数,确保这些参数符合您的具体需求。如果需要更详细的帮助,可以联系Diodes Incorporated 的技术支持团队。
    2. 问题:如何正确焊接ZXMN6A09GQ?
    - 解答: 使用合适的焊接工艺,确保焊点牢固且无缺陷。查阅手册中的“机械数据”部分,了解具体的焊接规范和要求。

    总结和推荐


    总体来说,ZXMN6A09GQ 是一款性能优越的60V N沟道增强型MOSFET,适用于多种高压电力系统。其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关速度使其在汽车和其他高压电力系统中具有显著的优势。如果您正在寻找一个高性能、可靠且易于集成的MOSFET,ZXMN6A09GQ 是一个值得考虑的选择。强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效率和稳定性的应用场景中。

ZXMN6A09GQTA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 8.2A,10V
栅极电荷 24.2nC@ 10 V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5.4A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.407nF@40V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 2W(Ta)
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A09GQTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A09GQTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A09GQTA ZXMN6A09GQTA数据手册

ZXMN6A09GQTA封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 5.3111
5000+ ¥ 5.0064
8000+ ¥ 4.9193
12000+ ¥ 4.8758
库存: 10000
起订量: 2500 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:2500
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