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ZVN2110A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 100V 4Ω@ 1A,10V 320mA 75pF@25V TO-92 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: UA-ZVN2110A
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN2110A

ZVN2110A概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 是一款高效的场效应晶体管(FET),适用于广泛的电子设备和电路设计中。这种类型的晶体管主要用于开关电源、马达驱动、DC/DC转换器以及其他需要高效率和低导通电阻的应用场景。

    技术参数


    - 最高耐压(VDS): 100 V
    - 最大连续漏极电流(ID): 320 mA
    - 脉冲漏极电流(IDM): 6 A
    - 最大栅源电压(VGS): ± 20 V
    - 最大功率耗散(Ptot): 700 mW
    - 工作温度范围(Tj): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 100 V (ID=1mA, VGS=0V)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 0.8 V 至 2.4 V (ID=1mA, VDS=VGS)
    - 零栅压漏极电流(IDSS): 1 µA 至 100 µA (VDS=100V, VGS=0; VDS=80V, VGS=0V, T=125°C)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)): 1.5 A (VDS=25V, VGS=10V)
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)): 4 Ω (VGS=10V, ID=1A)
    - 前向跨导(gfs): 250 mS (VDS=25V, ID=1A)

    产品特点和优势


    这款N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET具有多项显著优势:
    - 高耐压和大电流处理能力:能够承受高达100V的电压,适用于高电压环境。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在10V栅源电压下,导通电阻仅为4Ω,极大地降低了功耗。
    - 良好的热稳定性:能够在极端的工作和存储温度范围内正常工作,增加了应用的灵活性。
    - 快速响应时间:具有短的上升时间和下降时间,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    这种FET广泛应用于各种电力电子设备中,例如:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和高耐压特性,实现高效能电源管理。
    - 马达驱动:提供稳定的电流控制,提高马达运行效率。
    - DC/DC转换器:减少损耗,提升整体效率。
    建议在使用时注意:
    - 确保正确选择栅源电压以达到最佳性能。
    - 在高频率应用中,考虑电容和电感对信号传输的影响。

    兼容性和支持


    本产品设计与TO92封装兼容,便于集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 产品出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热措施是否到位,必要时增加散热片。

    - 问题二: 漏电流偏大。
    - 解决方案: 检查栅源电压是否在额定范围内,避免过高或过低。

    - 问题三: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 确认电容和电感值是否匹配,调整至最优值。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为市场上极具竞争力的产品之一。其出色的耐压能力和低导通电阻使其成为许多高要求电子设备的理想选择。强烈推荐在开关电源、马达驱动和DC/DC转换器等应用中使用。

ZVN2110A参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 1A,10V
栅极电荷 -
最大功率耗散 700mW(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 320mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 75pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVN2110A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN2110A数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN2110A ZVN2110A数据手册

ZVN2110A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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8000+ $ 0.275 ¥ 2.3045
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