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ZVN4424GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.5W(Ta) 40V 1.8V@1mA 16nC 1个N沟道 240V 5.5Ω@ 500mA,10V 500mA 200pF@25V SOT-223-3 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.65mm
供应商型号: 14M-ZVN4424GTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4424GTA

ZVN4424GTA概述

    # ZVN4424G 技术手册

    产品简介


    ZVN4424G 是一款由 Diodes Incorporated 生产的新型电子元器件。它是一款 N 沟道增强模式垂直 DMOSFET(双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高效电源管理中。该器件具有极低的导通电阻和优越的开关性能,特别适用于高效率的电源管理场合,如拨号开关、电池供电设备、电信系统及高压直流转换器等。

    技术参数


    以下是 ZVN4424G 的主要技术规格:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS 240 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±40 V |
    | 持续漏极电流 | ID 500 | mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 1.5 | A |
    | 功耗 (TA = +25°C) | PTOT 2.5 | W |
    | 工作和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 150 | °C |
    ON 特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 开态漏极电流 (Note 6) | ID(ON) | 0.8 | 1.4 A | VDS = 10V, VGS = 10V |
    | 静态漏源导通电阻 (Note 6) | RDS(ON) 4 | 5.5 | Ω | VGS = 10V, ID = 500mA |
    | 传输电导 | gfs | 0.4 | 0.75 S | VDS = 10V, ID = 0.5A |
    动态特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss 110 | 200 | pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
    | 输出电容 | Coss 15 | 25 | pF
    | 反向转移电容 | Crss 3.5 | 15 | pF
    | 导通延迟时间 | tD(ON) 2.5 | 5 | ns | VDD = 50V, VGEN = 10V |
    | 导通上升时间 | tR 5 | 8 | ns
    | 关断延迟时间 | tD(OFF) 40 | 60 | ns
    | 关断下降时间 | tF 16 | 25 | ns

    产品特点和优势


    ZVN4424G 具备多种优势:
    - 极高的漏源击穿电压(BVDS)达 240V;
    - 超低的导通电阻,典型值为 4.3Ω,最大值为 5.5Ω;
    - 低阈值电压和快速开关能力;
    - 绿色环保材料,符合 RoHS 和无卤素要求;
    - 达到 AEC-Q101 标准,适合高可靠性应用;
    - PPAP(生产件批准程序)能力。
    这些特点使 ZVN4424G 在众多高可靠性、高效率的电源管理系统中脱颖而出,成为理想的解决方案。

    应用案例和使用建议


    ZVN4424G 主要用于以下几个方面:
    - 地球回忆拨号开关:极低的导通电阻有助于减少功耗。
    - 电子挂钩开关:快速的开关速度有助于提高系统的响应性。
    - 电池供电设备:高效的电源管理和长寿命的特点使其适用于便携式设备。
    - 电信系统和高压直流转换器:高可靠性和低功耗使其成为关键组件。
    使用建议:
    1. 在设计时确保电源输入稳定,以避免 VDSS 超出额定值。
    2. 选择适当的散热措施,确保长时间工作时的热稳定性。
    3. 尽量降低电路板上的寄生电感和电容,以提升开关性能。

    兼容性和支持


    ZVN4424G 是 SOT223 封装,可轻松集成到现有的电路设计中。此外,Diodes Incorporated 提供全面的支持服务,包括详细的安装指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时电流过大。
    解决方案:检查电源电压是否稳定,并适当调整外部电路的阻抗。
    2. 问题:温度过高导致器件失效。
    解决方案:增加散热片或采用强制冷却措施,确保工作环境温度不超出规定范围。

    总结和推荐


    ZVN4424G 是一款性能卓越、应用广泛的 N 沟道增强模式垂直 DMOSFET。其极低的导通电阻和快速的开关速度使其在高效率电源管理领域具备显著优势。对于需要高可靠性和绿色环保的应用场合,这款产品是理想的选择。强烈推荐在相关项目中使用 ZVN4424G。

ZVN4424GTA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@1mA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 240V
Id-连续漏极电流 500mA
配置 独立式双drain
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 40V
栅极电荷 16nC
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 200pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5Ω@ 500mA,10V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4424GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4424GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4424GTA ZVN4424GTA数据手册

ZVN4424GTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.038
10+ ¥ 1.8521
30+ ¥ 1.4505
100+ ¥ 1.2827
300+ ¥ 1.2348
1000+ ¥ 1.1988
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起订量: 1 增量: 1000
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