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DMT3008LFDF-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 800mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 30V 10mΩ@ 9A,10V 12A 886pF@15V DFN 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIDMT3008LFDF7
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7概述

    DMT3008LFDF MOSFET 技术手册详解

    产品简介


    DMT3008LFDF 是一款由 Diodes Incorporated 生产的30V N-通道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种新一代MOSFET 在保持出色的开关性能的同时,最大限度地减少了导通电阻 (RDS(ON)),适用于高效率电源管理应用。该产品具有低门限电压、低导通电阻等显著特性,特别适合用于通用接口开关和电源管理功能。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - VGS = 10.0V:+25°C 时为12.0A;+70°C 时为9.5A
    - VGS = 4.5V:+25°C 时为10.4A;+70°C 时为8.4A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 70A(10µs脉冲,占空比=1%)
    - 最大体二极管连续电流 (IS): 2A
    - 雪崩电流 (IAS): 8A
    - 雪崩能量 (EAS): 3.2mJ
    - 热特性
    - 最大功率耗散 (PD):
    - +25°C 时为0.8W;+70°C 时为0.5W
    - +25°C 时为2.1W;+70°C 时为1.3W
    - 热阻 (RθJA):
    - +25°C 时为156°C/W;+70°C 时为116°C/W
    - +25°C 时为60.8°C/W;+70°C 时为45.0°C/W
    - 热阻 (RθJC): 13°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V,ID = 9.0A 时为10.0mΩ
    - VGS = 4.5V,ID = 8.5A 时为16.0mΩ
    - 二极管正向电压 (VSD): VGS = 0V,IS = 2A 时为1.2V

    产品特点和优势


    DMT3008LFDF MOSFET 具有多项独特优势:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 分别在10V和4.5V栅源电压下可达到10.0mΩ和16.0mΩ,提供高效能和低功耗的解决方案。
    - 低门限电压: 有助于减少功耗并提高系统效率。
    - 低外形设计: 仅0.6mm高度,适合于低外形的应用场景。
    - 全无铅且完全符合RoHS标准: 适应环保要求。
    - 绿色设备: 无卤素和锑化合物,符合绿色标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通用接口开关: 适用于需要高性能开关的场合,如工业控制和通讯设备。
    - 电源管理功能: 高效地进行电压转换和电流控制。
    使用建议:
    - 负载分配: 在高功率应用中,合理分配负载以避免过载。
    - 散热设计: 使用适当的散热片或散热器来提高设备的可靠性,特别是在高环境温度条件下。
    - 电路布局优化: 使用提供的封装布局建议,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    DMT3008LFDF 具有良好的兼容性,可以与各种标准FR-4基板PCB和铜线框配合使用。Diodes Incorporated 提供详细的技术支持和维护服务,帮助用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流过高导致设备损坏。
    - 解决方案: 确保使用适当的散热措施,并根据数据手册推荐的参数正确使用设备。
    - 问题: 温度超过额定值导致故障。
    - 解决方案: 使用散热器,并选择适合环境温度的工作条件。

    总结和推荐


    DMT3008LFDF MOSFET 是一款高效率、低功耗的高性能器件,适用于多种电源管理和接口应用。其出色的热管理和低导通电阻特性使其成为市场上竞争力强的产品。强烈推荐用于高要求的工业和消费电子产品中。

DMT3008LFDF-7参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 886pF@15V
最大功率耗散 800mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 14nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 9A,10V
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
配置 独立式
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMT3008LFDF-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT3008LFDF-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMT3008LFDF-7 DMT3008LFDF-7数据手册

DMT3008LFDF-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ $ 0.2367 ¥ 2.095
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