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DMP31D7LDW-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管 DMP31系列, Vds=30 V, 550 mA, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 30C-DMP31D7LDW-7 SOT363
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMP31D7LDW-7

DMP31D7LDW-7概述

    DMP31D7LDW P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMP31D7LDW 是一款双极P沟道增强型MOSFET,适用于高效率电源管理应用。这种MOSFET通过最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持优越的开关性能来实现高效率。其主要功能和应用领域如下:
    - 主要功能:低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、ESD保护栅极、完全无铅且符合RoHS标准、环保材料。
    - 应用领域:
    - 电机控制
    - 电源管理功能
    - DC-DC转换器

    2. 技术参数


    以下是DMP31D7LDW的主要技术规格和性能参数:
    - 最大额定值:
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏源电压 (VDSS): -30 V
    - 连续漏电流 (ID): -0.55 A (VGS = -10V)
    - 最大持续体二极管正向电流 (IS): -0.38 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): -2.4 A (10μs脉冲,占空比1%)
    - 热特性:
    - 总功率耗散 (PD): 0.29 W (稳态)
    - 热阻,结到环境 (RϴJA): 433 °C/W (稳态)
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): -30 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): -1 μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±10 μA
    - 导通特性:
    - 栅阈电压 (VGS(TH)): -1 ~ -2.6 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 0.5 ~ 1.7 Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 19 pF
    - 输出电容 (Coss): 16 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 3 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:保证了高效能的电力传输。
    - 低输入电容:有助于提高开关速度。
    - 快速开关速度:适合高频电路。
    - ESD保护栅极:确保了器件的可靠性和使用寿命。
    - 环保材料:符合RoHS标准,不含卤素和锑。
    - 兼容性:广泛应用于各种高性能电源管理系统。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电机控制系统中用于驱动马达。
    - 在DC-DC转换器中作为高效开关元件。
    - 在各种电源管理单元中用于提高整体效率。
    使用建议:
    - 确保栅极电压(VGSS)不超过±20 V,以防止损坏。
    - 使用适当的散热设计以降低温度效应,特别是在高功率应用中。
    - 配合合适的电路布局和保护措施,以充分利用其低导通电阻和快速开关速度的优势。

    5. 兼容性和支持


    DMP31D7LDW 兼容大多数常见的PCB材料和布局。Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的封装指南和技术文档。更多包装细节可访问官网:https://www.diodes.com/design/support/packaging/diodes-packaging/

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解答:根据应用需求选择合适的栅极电阻,一般为几十欧姆到几百欧姆之间,以确保快速开关并避免不必要的振荡。
    - 问题2:如何处理散热问题?
    - 解答:在高功率应用中,采用良好的散热设计和铜箔面积大的PCB板可以有效降低温度。
    - 问题3:如何确定最佳的驱动电压?
    - 解答:根据具体应用需求,通常VGS设定在-10V左右,以获得最低的RDS(ON)。

    7. 总结和推荐


    DMP31D7LDW 是一款高性能的P沟道MOSFET,以其低导通电阻、快速开关速度和环保特性在市场上具有明显的优势。它特别适合于电机控制、电源管理和DC-DC转换器等领域。推荐在需要高效、低损耗的电源管理系统中使用此器件。
    这篇技术手册提供了一个详尽的DMP31D7LDW MOSFET的描述和参数,帮助工程师在不同的应用中做出明智的选择。

DMP31D7LDW-7参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.6V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 550mA
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 420mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMP31D7LDW-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMP31D7LDW-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMP31D7LDW-7 DMP31D7LDW-7数据手册

DMP31D7LDW-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.6006
200+ ¥ 0.3883
1500+ ¥ 0.3366
3000+ ¥ 0.2981
45000+ ¥ 0.2959
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