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DMN3033LSNQ-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.4W(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 10.5nC@ 5 V 1个N沟道 30V 30mΩ@ 6A,10V 6A 755pF@10V SC-59-3 贴片安装
供应商型号: DMN3033LSNQ-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7概述

    DMN3033LSNQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN3033LSNQ 是一款N沟道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由Diodes Incorporated生产。该器件设计用于高效率电源管理应用,具备低导通电阻和快速开关能力。主要功能包括:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 低栅极电荷
    - 低输入/输出漏电流
    - 无铅且符合RoHS标准
    - 具有AEC-Q101认证,适用于高可靠性要求的应用
    - 小型封装(SC-59)

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏极电流 (ID): 6A(在TA = +25°C时), 5A(在TA = +70°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 24A
    - 体二极管连续电流 (IS): 2.25A
    - 热特性
    - 总功率耗散 (PD): 1.4W
    - 热阻抗 (Junction-to-Ambient, RθJA): 90°C/W
    - 工作和存储温度范围: TJ, TSTG = -55°C to +150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 30V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1μA (TJ = 25°C), 5μA (TJ = 55°C)
    - 栅体漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.0V 至 2.1V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 30mΩ @ VGS = 10V, ID = 6A; 40mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 4A
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 10.5nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 3.8nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 2.9nC
    - 开启延迟时间 (tD(on)): 11ns
    - 开启上升时间 (tr): 7ns
    - 关闭延迟时间 (tD(off)): 63ns
    - 关闭下降时间 (tf): 30ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 在10V栅压下仅为30mΩ,在4.5V栅压下为40mΩ,保证了低功耗和高效率。
    - 快速开关特性:动态参数如总栅极电荷、栅源电荷和栅漏电荷都很小,确保快速开关。
    - 环保特性:无铅且符合RoHS标准,采用“绿色”材料制造。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,适用于汽车和其他对可靠性要求高的场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:电机控制、背光照明、DC-DC转换器、电源管理。
    - 使用建议:
    - 在高频率开关应用中,考虑其低栅极电荷特性,以减少开关损耗。
    - 为了降低温度影响,确保良好的散热条件。
    - 使用合适的驱动电路以实现最佳开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件支持广泛的应用环境,可与多种电子元器件和系统兼容。
    - 支持和维护:Diodes Incorporated提供PPAP(生产件批准程序)服务,确保产品质量。用户可通过其官网获取更多技术支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的驱动电压?
    - 解答:根据具体应用选择合适的栅源电压(VGS)。典型值为10V,确保RDS(on)达到最小值。
    - 问题:温度对性能有何影响?
    - 解答:工作温度应在-55°C至+150°C范围内。高温环境下应注意散热,避免过热导致性能下降。

    总结和推荐


    DMN3033LSNQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 在多个关键性能指标上表现出色,特别适合高效率电源管理和高频开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其在众多应用场景中具有显著优势。综上所述,强烈推荐使用此器件,尤其是在需要高可靠性和高效率的应用中。
    该技术手册提供了详细的技术规格和操作指南,有助于用户更好地理解和应用这款MOSFET。如果您正在寻找高效、可靠的电源管理解决方案,DMN3033LSNQ将是一个理想的选择。

DMN3033LSNQ-7参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.4W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 6A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 755pF@10V
栅极电荷 10.5nC@ 5 V
Id-连续漏极电流 6A
通用封装 SC-59-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3033LSNQ-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3033LSNQ-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSNQ-7数据手册

DMN3033LSNQ-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.1153
5000+ ¥ 1.0513
8000+ ¥ 1.033
12000+ ¥ 1.0239
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
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