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ZXMC4559DN8TC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 1V@ 250µA (Min) 20.4nC@ 10V 2N+2P沟道 60V 55mΩ@ 4.5A,10V 3.6A,2.6A 1.063nF@30V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIZXMC4559DN8TC
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMC4559DN8TC

ZXMC4559DN8TC概述

    ZXMC4559DN8 Complementary 60V Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMC4559DN8 是一款由 Diodes Incorporated 生产的互补 60V 增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和优越的开关性能。这种新型 MOSFET 主要应用于高效率电源管理领域,如 DC-DC 转换器、电源管理功能和背光照明系统。

    2. 技术参数


    以下为 ZXMC4559DN8 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (V) | 60 / -60 | V |
    | 栅源电压 (V) | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 (VGS = 10V) | 3.6 / -2.6 | A |
    | 短脉冲漏极电流 (t<10s) | 4.7 / -3.9 | A |
    | 最大体二极管正向电流 (t<10s) | 3.4 / -3.2 | A |
    | 静态漏源导通电阻 (VGS = 10V) | 55 / 105 | mΩ |
    | 零栅电压漏极电流 | ≤1.0 | µA |
    | 输入电容 (VDS = 30V) | 1063 / 1021 | pF |
    | 输出电容 (VDS = 30V) | 104 / 83.1 | pF |
    | 反向转移电容 | ≤64 | pF |
    | 栅电荷 (VGS = 5.0V) | ≤11 | nC |

    3. 产品特点和优势


    ZXMC4559DN8 具备以下几个显著的特点和优势:
    - 低输入电容:有助于降低功率损耗。
    - 低导通电阻:减少发热,提高能效。
    - 快速开关速度:适用于高频应用。
    - 完全无铅且符合 RoHS 规范:环保友好。
    - 无卤素及锑元素:达到绿色环保标准。
    - 通过 AEC-Q101 标准认证:适合汽车和其他高可靠性应用。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMC4559DN8 适用于多种应用场景,例如:
    - DC-DC 转换器:用于电源转换,提高能效。
    - 电源管理功能:优化电力供应,提高整体性能。
    - 背光照明:提升显示效果,增强用户体验。
    建议在应用中合理选择 PCB 布局和焊盘设计以确保最佳性能。例如,根据 Diodes Incorporated 的建议,可参考 AP02001 文档中的建议布局以获得更好的热管理和电气性能。

    5. 兼容性和支持


    ZXMC4559DN8 采用 SO-8 封装,具有完全无铅和 RoHS 合规的特点,适合与其他符合这些标准的电子元器件兼容。厂商提供丰富的技术支持,包括详细的封装和布局指南,可通过官方网站获取更多资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    解决方案:根据应用需求选择适当的栅极驱动电阻,通常建议使用 6.0Ω 的栅极电阻来平衡开关时间和能效。

    - 问题:如何避免热失控?
    解决方案:确保良好的散热设计,例如使用大面积铜箔和散热器,避免长时间处于最大电流状态。

    7. 总结和推荐


    ZXMC4559DN8 是一款专为高效率电源管理设计的先进 MOSFET。其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使其成为高性能应用的理想选择。结合其环保特性和高可靠性标准,强烈推荐用于对能效和可靠性要求高的应用场景。
    如果您正在寻找能够满足高效率和可靠性的 MOSFET,ZXMC4559DN8 是一个理想的选择。

ZXMC4559DN8TC参数

参数
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA (Min)
通道数量 2
栅极电荷 20.4nC@ 10V
最大功率耗散 2.1W
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 2N+2P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 4.5A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.063nF@30V
Id-连续漏极电流 3.6A,2.6A
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMC4559DN8TC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMC4559DN8TC数据手册

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ZXMC4559DN8TC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ $ 0.2911 ¥ 2.5762
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