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DMTH10H025LK3Q-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 3.1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 21nC@ 10 V 1个N沟道 100V 22mΩ@ 20A,10V 51.7A 1.477nF@50V TO-252 贴片安装
供应商型号: DMTH10H025LK3Q-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) DMTH10H025LK3Q-13

DMTH10H025LK3Q-13概述

    DMTH10H025LK3Q:100V 175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    DMTH10H025LK3Q 是一款专为满足汽车应用需求而设计的100V N沟道增强型MOSFET。它具有强大的电流处理能力和低导通电阻,适用于电源管理、DC-DC转换器和背光等多种应用场景。此MOSFET能够在高环境温度下稳定工作,并通过严格的可靠性测试标准,确保在汽车和其他严苛环境中能够可靠运行。

    技术参数


    - 基本参数
    - BVDSS(漏源电压): 100V
    - RDS(ON)(导通电阻):
    - VGS = 10V 时,22mΩ(51.7A)
    - VGS = 6V 时,30mΩ(44.3A)
    - VGS = 4.5V 时,43.7mΩ(36.7A)
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = +25°C 时,51.7A
    - TC = +100°C 时,36.6A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 95A (10µs脉冲,占空比 = 1%)
    - 热特性
    - 总功率耗散 (PD): 3.1W (稳态);100W (动态)
    - 热阻 (RθJA): 48°C/W (稳态);1.5°C/W (动态)
    - 电气特性
    - 栅极泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VGS = ±20V, VDS = 0V)
    - 栅极阈值电压 (VGS(TH)): 1-3V (VDS = VGS, ID = 250µA)
    - 输入电容 (Ciss): 1477pF (VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 263pF (VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 反向转移电容 (Crss): 20pF (VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 门电阻 (RG): 1.3Ω (VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 总栅极电荷 (QG): 21nC (VDD = 50V, ID = 20A, VGS = 10V)
    - 开关特性
    - 上升时间 (tr): 9.4ns (VDD = 50V, VGS = 10V, ID = 20A, RG = 6Ω)
    - 下降时间 (tf): 8.2ns (VDD = 50V, VGS = 10V, ID = 20A, RG = 6Ω)

    产品特点和优势


    - 高温耐受性: 额定工作温度高达+175°C,适合高环境温度的应用场景。
    - 高可靠性: 符合AEC-Q101标准,支持PPAP(生产件批准程序),保证产品质量和可靠性。
    - 低导通电阻: 低RDS(ON)值(22mΩ@10V),能有效减少功耗。
    - 快速响应: 低QG(总栅极电荷)值,降低了开关损耗,提高了效率。
    - 环保材料: 绿色产品,不含卤素和锑,符合RoHS规范。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:
    - 汽车电子: 可用于电池管理系统、引擎控制单元等。
    - 电源管理: 在工业控制设备中作为电源开关管。
    - 照明系统: 背光灯驱动电路。

    - 使用建议:
    - 散热设计: 由于功率较大,在大电流应用中需注意散热问题,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 电路布局: 推荐采用合适的PCB布局,以减少杂散电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 封装类型: TO252 (DPAK)
    - 支持: 供货商提供详细的技术文档和PPAP支持,以确保产品的正确安装和使用。
    - 兼容性: 该MOSFET与市场上主流的控制器和电源管理芯片兼容,便于集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 导通电阻过高,影响电路效率。
    - 解决方案: 确保MOSFET工作在额定参数范围内,合理选择工作电压和电流,避免超出其最大额定值。
    - 问题: 开关过程中产生振荡现象。
    - 解决方案: 添加适当的栅极电阻和旁路电容,以改善开关特性,减少振荡。

    总结和推荐


    综上所述,DMTH10H025LK3Q MOSFET是一款在汽车及工业应用中表现出色的产品。它具备高可靠性、低功耗和良好的热稳定性,非常适合在严苛环境下使用。对于需要高性能和高可靠性的应用场合,强烈推荐使用这款产品。

DMTH10H025LK3Q-13参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 51.7A
配置 独立式
栅极电荷 21nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 20A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.477nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMTH10H025LK3Q-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMTH10H025LK3Q-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMTH10H025LK3Q-13 DMTH10H025LK3Q-13数据手册

DMTH10H025LK3Q-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 4.0897
5000+ ¥ 3.855
8000+ ¥ 3.788
12000+ ¥ 3.7545
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
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