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ZVP4525E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 197 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 26M-ZVP4525E6TA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP4525E6TA

ZVP4525E6TA概述

    ZVP4525E6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVP4525E6 是一款由 Diodes Incorporated 生产的250V P沟道增强模式MOSFET。此款器件为用户提供了一种高效率的功率处理能力,并且具备高阻抗、无热失控和热致二次击穿的特点。它广泛应用于电信和高电压电路等众多领域。此外,SOT89 和 SOT223 版本也提供选择。

    2. 技术参数


    最大额定值(@TA = +25°C)
    - 漏源电压 (VDSS): -250V
    - 栅源电压 (VGS): ±40V
    - 持续漏极电流 (ID): -197mA (VGS = -10V)
    - 瞬态漏极电流 (IDM): -1A
    - 持续源电流 (IS): -0.75A (体二极管)
    - 脉冲源电流 (ISM): -1A
    热特性(@TA = +25°C)
    - 功率耗散 (PD): 1.1W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 113°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    电气特性(@TA = +25°C)
    - 击穿电压 (BVDSS): -250V 到 -285V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): 10Ω 至 14Ω (VGS = -10V, ID = -200mA)
    - 输入电容 (Ciss): 73 pF (VDS = -25V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss): 12.8 pF (VDS = -25V, VGS = 0V)
    - 逆向传输电容 (Crss): 3.91 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 2.45 nC
    - 开启延迟时间 (tD(on)): 1.53 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高电压: 250V的高电压耐受性使其适用于高电压电路。
    - 低导通电阻: 最小10Ω的最大导通电阻保证了高效率。
    - 快速开关速度: 快速的开关速度适用于高速应用。
    - 低门极驱动: 降低功耗并提高系统效率。
    - 低阈值电压: 便于控制和驱动。
    - 与N沟道ZVN4525E6互补: 方便在电路设计中灵活使用。
    - SOT23-6封装: 紧凑的设计适合小型化应用。
    - 无铅且符合RoHS标准: 满足环保要求。
    - 无卤素和锑: 符合“绿色”标准。
    - 符合AEC-Q101标准: 保证高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用实例: 地线恢复和拨号开关、电子钩开关、高电压MOSFET驱动器、电信呼叫路由器和固态继电器。
    - 使用建议:
    - 在高电压应用中,确保遵循行业规范以保证安全间距。
    - 保持良好的散热设计以防止过热导致失效。
    - 在高频应用中注意电容特性以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与多种封装和驱动器兼容,具体兼容性请参考产品文档。
    - 支持和维护: Diodes Incorporated 提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户更好地使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的漏源电压会烧毁器件。
    - 解决方案: 确保在规定范围内使用器件,避免超出额定电压。
    - 问题2: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 使用散热片或风扇等散热措施,保持器件在工作温度范围内。

    7. 总结和推荐


    ZVP4525E6 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道增强模式 MOSFET,适合各种高电压和高速应用。它具有高电压耐受性、低导通电阻和快速开关速度等特点,使得其在众多应用中表现出色。如果您需要在高电压电路中实现高效能的功率处理能力,强烈推荐使用这款产品。

ZVP4525E6TA参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 197mA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
栅极电荷 3.45nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 14Ω@ 200mA,10V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Vgs-栅源极电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 73pF@25V
3.1mm(Max)
1.8mm(Max)
1.45mm(Max)
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVP4525E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP4525E6TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP4525E6TA ZVP4525E6TA数据手册

ZVP4525E6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.8385
10+ ¥ 2.9571
100+ ¥ 2.5917
500+ ¥ 2.4
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