处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.6 A, SOT-89封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN6A11ZTA SOT89
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA概述

    ZXMN6A11Z MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    ZXMN6A11Z 是一款60V N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用SOT89封装。这款器件被设计用于在高效率电源管理应用中提供最小的导通电阻(RDS(on))并保持卓越的开关性能。它适用于多种场合,如直流-直流转换器、电源管理、电机控制和断路开关。

    技术参数


    以下是ZXMN6A11Z的主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS): 最大值为60V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在VGS=10V,TA=25°C时,最大值为3.6A
    - 在VGS=10V,TA=75°C时,最大值为2.9A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 14.5A
    - 持续源电流(体二极管)(IS): 3.7A
    - 脉冲源电流(体二极管)(ISM): 14.5A
    - 最大功耗(PD):
    - 在TA=25°C时为1.5W
    - 在TA=75°C时为2.6W
    - 热阻(RθJA):
    - 在TA=25°C时为83.3°C/W
    - 在TA=75°C时为47.4°C/W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 使得器件在导通状态下的功率损耗更低。
    - 低阈值电压(VGS(th)): 减少了驱动所需的栅极电压。
    - 快速开关速度(trr, tf, tD(on), tD(off)): 提高了整体电路的响应速度和效率。
    - 符合RoHS标准: 无铅且环保。
    - 绿色设备: 符合AEC-Q101标准,确保高可靠性。

    应用案例和使用建议


    ZXMN6A11Z 可以应用于多个领域,例如直流-直流转换器、电源管理模块、电机控制和断路开关等。为了充分发挥其性能,建议如下:
    - 温度管理: 由于热阻较高,需要在高负载条件下采取适当的散热措施。
    - 驱动信号优化: 通过优化栅极驱动信号,可以进一步提高开关速度,减少能量损失。

    兼容性和支持


    ZXMN6A11Z 支持常见的SOT89封装,易于与现有的电子设备进行集成。此外,制造商提供了全面的技术支持和文档资源,帮助用户进行设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题和解决方案,这里列出一些典型问题及解决方案:
    - Q: 设备发热严重?
    - A: 使用散热器或其他散热方案来降低热阻,确保良好的散热环境。

    - Q: 开关频率不稳定?
    - A: 检查驱动信号的波形质量,并适当调整驱动电阻。

    总结和推荐


    ZXMN6A11Z是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度等显著优点,适合于高效率的电源管理和电机控制应用。对于需要高可靠性和低能耗的应用场景,强烈推荐使用此器件。

ZXMN6A11ZTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2.7A
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 2.5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@40V
通道数量 1
最大功率耗散 1.5W(Ta)
栅极电荷 5.7nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式双drain
长*宽*高 4.5mm*2.5mm*1.5mm
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A11ZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A11ZTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A11ZTA ZXMN6A11ZTA数据手册

ZXMN6A11ZTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.453
50+ ¥ 1.892
1000+ ¥ 1.584
库存: 2805
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.45
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336