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DMT10H025SSS-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.4W(Ta) 20V 4V@ 250µA 21.4nC@ 10 V 1个N沟道 100V 23mΩ@ 20A,10V 7.4A 1.544nF@50V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 3943853
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13概述

    DMT10H025SSS 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    DMT10H025SSS 是一种高性能的100V N沟道增强模式功率场效应晶体管(MOSFET)。它专为减少导通电阻(RDS(ON))并保持出色的开关性能而设计,使其适用于高频开关、同步整流及直流-直流转换器等高效率电力管理系统应用。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (V): 100V
    - 最大栅源电压 (V): ±20V
    - 连续漏极电流 (A):
    - VGS = 10V,TA = +25°C:7.4A
    - VGS = 10V,TA = +70°C:5.9A
    - 脉冲漏极电流 (A) (10µs脉冲,占空比=1%) : 45A
    - 最大连续体二极管正向电流 (A): 3.2A
    - 脉冲体二极管正向电流 (A) (10µs脉冲,占空比=1%) : 45A
    - 雪崩电流 (I): 25A
    - 雪崩能量 (E): 31.25A
    电气特性
    - 导通电阻 (mΩ):
    - VGS = 10V, ID = 20A时:23mΩ
    - VGS = 6V, ID = 12.5A时:30mΩ
    - 门限电压 (V): 2~4V
    - 输入电容 (pF): 1544
    - 输出电容 (pF): 250
    - 反向传输电容 (pF): 20.4
    - 门电阻 (Ω): 1.26
    - 总门电荷 (nC):
    - VGS = 10V时:21.4nC
    - VGS = 6V时:13.4nC
    热特性
    - 结到环境热阻 (°C/W):
    - TA = +25°C时:91°C/W
    - TA = +25°C时:65°C/W
    - TC = +25°C时:8.5°C/W
    工作和存储温度范围 (°C): -55至+150

    3. 产品特点和优势


    - 100%无钳位电感开关: 确保更可靠和稳健的应用
    - 高转换效率
    - 低RDS(ON): 最小化导通损耗
    - 低输入电容
    - 快速开关速度
    - 完全无铅,符合RoHS标准
    - 无卤素、锑化合物,绿色产品

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 高频开关
    - 同步整流
    - 直流-直流转换器
    使用建议
    在高频开关和同步整流中使用该MOSFET时,建议注意散热管理,以确保产品在极端工作条件下的可靠性。在特定的应用环境中,例如需要进行大电流切换的情况,可以考虑增加散热片来提高热管理效率。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:SO-8
    - 认证:完全符合RoHS和欧盟法规
    - 技术支持:迪芝浦公司提供全方位的技术支持和售后服务,确保用户能够获得及时的帮助和指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确安装?
    - 解决方案:参考迪芝浦公司提供的安装指南和建议的焊盘布局。

    - 问题2:在高温环境下如何保证正常运行?
    - 解决方案:确保适当的散热措施,如使用散热片或散热器。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    DMT10H025SSS是一款具有高性能和低导通电阻的MOSFET,非常适合用于高频开关、同步整流和直流-直流转换器等领域。其低功耗、高转换效率的特点使其在电力管理系统中表现优异。此外,该产品符合环保要求,无卤素、锑化合物,完全无铅。
    推荐使用
    综上所述,对于追求高效能、低功耗的电源管理和应用场合,我们强烈推荐使用DMT10H025SSS。

DMT10H025SSS-13参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 1.4W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7.4A
配置 独立式
栅极电荷 21.4nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 20A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.544nF@50V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMT10H025SSS-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT10H025SSS-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13数据手册

DMT10H025SSS-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.9788
10+ ¥ 3.0143
100+ ¥ 2.7008
500+ ¥ 2.7008
1000+ ¥ 2.6043
5000+ ¥ 2.6043
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