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DMN1250UFEL-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1V@ 250µA 1.9nC@ 4.5V 8个N沟道 12V 450mΩ@ 200mA,4.5V 2A 190pF@6V 贴片安装
供应商型号: 3944087
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7概述

    DMN1250UFEL N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN1250UFEL 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件集成了8个独立的 N 沟道 MOSFET,采用小尺寸封装(1.5mm × 1.5mm),适用于紧凑型电路设计。它具有低门极电荷、低导通电阻和高可靠性等特性,适用于电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 12V
    - 门极电压:VGSS = ±8V
    - 连续漏极电流:ID = 2.0A (TA = +25°C); ID = 1.6A (TA = +70°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 10A
    - 总功耗:PD = 0.66W (注5),PD = 1.25W (注6)
    - 热阻:RθJA = 177°C/W (注5),RθJA = 100°C/W (注6)
    - 结温范围:TJ, TSTG = -55°C 到 +150°C
    - 导通电阻:RDS(ON) = 280mΩ @ VGS = 4.5V,ID = 0.2A
    - 输入电容:Ciss = 146-190pF
    - 门极电荷:Qg = 1.3-1.9nC

    产品特点和优势


    - 集成度高:单个封装内集成了8个N沟道MOSFET,非常适合需要高密度集成的应用。
    - 低导通电阻:在VGS = 4.5V时,RDS(ON)仅为280mΩ,有效降低功耗。
    - 低门极电荷:Qg为1.3-1.9nC,有助于降低开关损耗,提高能效。
    - 小型化:1.5mm × 1.5mm 封装,适合空间受限的设计。
    - 绿色环保:完全无铅且符合RoHS标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:DMN1250UFEL 可用于DC-DC转换器和其他电源管理模块中,其低导通电阻特性有助于减少发热和提高效率。
    - 电机控制:适用于电机驱动和控制系统,因其能承受较大的脉冲电流。
    - 散热管理:建议使用较大散热片或者散热器,以确保长期稳定运行。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,考虑增加散热措施,如散热片或散热风扇,以延长产品寿命。
    - 使用适当的PCB布局,以确保良好的热管理和信号完整性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMN1250UFEL 与大多数现代电路板设计兼容,可直接焊接安装。
    - 支持服务:Diodes Incorporated 提供详细的技术文档和支持,帮助客户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下导通电阻增大:检查散热系统是否完善,必要时增加散热片。
    2. 脉冲电流过大导致损坏:确保外部电路设计能够限制脉冲电流。
    3. 门极电荷过高:检查外部驱动电路,确保提供足够的门极电压。

    总结和推荐


    DMN1250UFEL 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种应用场合。它的高集成度、低导通电阻和环保特性使其成为市场上极具竞争力的产品。推荐在需要高密度集成和良好热管理的应用中使用。

DMN1250UFEL-7参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 1.9nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 190pF@6V
配置 独立式
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 8个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 200mA,4.5V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN1250UFEL-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN1250UFEL-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7数据手册

DMN1250UFEL-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.214
10+ ¥ 3.1924
100+ ¥ 2.8604
500+ ¥ 2.8093
1000+ ¥ 2.7582
5000+ ¥ 2.7582
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