处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.5W(Ta) 20V 2.2V@ 250µA 8.6nC@ 10 V 1个N沟道 30V 65mΩ@ 3.2A,10V 3.9A 448pF@15V SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*980μm
供应商型号: 3943986
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA概述

    # ZXMN3A14FQ 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    ZXMN3A14FQ 是一款由 Diodes Incorporated 设计生产的 30V N 沟道增强型 MOSFET,专为满足汽车领域的严格要求而设计。其核心特点在于低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和高可靠性,适合在恶劣环境下稳定运行。
    主要功能
    - 功能强大:能够有效处理高电流和电压,适合作为断开开关、电机控制、DC-DC 转换器等应用的核心组件。
    - 适用领域:
    - 汽车应用:符合 AEC-Q101 标准,适合汽车电源管理功能。
    - 工业控制:适用于需要高效能开关的功率管理系统。
    - 通用电子:可用作直流电路中的理想开关器件。

    技术参数


    以下是 ZXMN3A14FQ 的关键技术规格:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 3.2 3.9 | A |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) 65 mΩ | 95 mΩ | mΩ |
    | 击穿电压 | BVDSS | 30 V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.2 V |
    | 输入电容 | Ciss 448 pF |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻:RθJA = 83°C/W (典型值)

    产品特点和优势


    产品优势
    1. 低导通电阻:RDS(on) 值低至 65 mΩ,保证高效的电流传输效率。
    2. 快速开关:具备优异的开关性能,适合高频电路设计。
    3. 高可靠性:符合 AEC-Q101 和 RoHS 规范,完全无卤化且绿色环保。
    4. 兼容性强:采用 SOT23 封装,体积小巧,便于集成。
    应用领域的重要性
    ZXMN3A14FQ 在汽车、工业控制和消费电子等领域具有广泛的适用性,尤其是在对高可靠性和低功耗有严苛要求的应用中,表现出显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    1. DC-DC 转换器:用于汽车电子系统的稳压供电模块。
    2. 电机控制:应用于电动车窗、座椅调节等需求高效率和快速响应的场合。
    3. 断开开关:作为过流保护机制中的核心组件,提升系统安全性。
    使用建议
    - 散热设计:由于热阻较高,建议在实际应用中增加散热片以确保稳定运行。
    - 驱动电路优化:为了充分发挥其快速开关特性,需设计合理的栅极驱动电路,避免因驱动不足导致性能下降。
    - 保护电路:添加过压保护和过流保护措施,提高系统的长期稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    ZXMN3A14FQ 与同类 SOT23 封装的器件具有良好的互换性,可广泛应用于现有的电路板设计中。
    厂商支持
    Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和客户支持,包括 PPAP(生产件批准程序)服务,确保产品符合汽车行业标准。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何减少导通电阻带来的功耗?
    解决方案:通过优化电路布局,降低寄生电感和电容的影响,从而减小导通损耗。
    问题 2:如何改善开关性能?
    解决方案:选用更低的栅极驱动电阻值,并优化电路中的布线,减少寄生效应。

    总结和推荐


    综合评估
    ZXMN3A14FQ 是一款兼具高性能和高可靠性的 MOSFET,尤其在汽车和工业控制领域具有显著优势。其低导通电阻、快速开关速度和高热稳定性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。
    推荐意见
    我们强烈推荐 ZXMN3A14FQ 在需要高效能开关的场合中使用。无论是汽车电子还是工业自动化领域,该产品都能提供卓越的性能表现,值得信赖。

ZXMN3A14FQTA参数

参数
Id-连续漏极电流 3.9A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 448pF@15V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3.2A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
最大功率耗散 1.5W(Ta)
栅极电荷 8.6nC@ 10 V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*980μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3A14FQTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A14FQTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FQTA数据手册

ZXMN3A14FQTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.7799
10+ ¥ 2.8636
100+ ¥ 2.5658
500+ ¥ 2.5658
1000+ ¥ 2.4741
5000+ ¥ 2.4741
库存: 2587
起订量: 18 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 28.63
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336