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ZXMN0545G4TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 3V@1mA 1个N沟道 450V 50Ω@ 100mA,10V 140mA 70pF@25V SOT 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.65mm
供应商型号: ZXMN0545G4TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA概述

    # ZXMN0545G4:一款高效能N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    ZXMN0545G4是一款由Diodes Incorporated推出的450V N-Channel Enhancement Mode MOSFET。这种MOSFET的主要特点是结合了低导通电阻和快速开关速度的优点,使其特别适合于高效率电源管理应用。ZXMN0545G4适用于多种应用场景,例如开关电源启动电路。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS):450V
    - 栅源电压 (VGSS):±20V
    - 持续漏电流 (VGS = 10V; TA = +25°C):140mA
    - 脉冲漏电流:600mA
    - 持续源电流(体二极管):140mA
    - 脉冲源电流(体二极管):600mA
    热特性
    - 在TA = +25°C时的功率耗散:2.0 W
    - 结到环境的热阻(线性降额因子):62.5°C/W
    电气特性
    - 开启特性
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)):1 - 3 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):50Ω @ VGS = 10V, ID = 100mA
    - 输入电容 (Ciss):70pF
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 (tD(ON)):7ns
    - 开启上升时间 (tR):7ns
    - 关闭延迟时间 (tD(OFF)):16ns
    - 关闭下降时间 (tF):10ns

    产品特点和优势


    1. 高电压耐受能力:能够在高达450V的电压下稳定工作,适用于高压应用场景。
    2. 低导通电阻:典型值为50Ω,显著降低功耗并提高效率。
    3. 快速开关速度:减少开关损耗,提高转换效率。
    4. 低门极驱动要求:降低系统设计难度。
    5. 无铅封装,符合RoHS标准:绿色环保,确保符合环保法规。
    6. 符合AEC-Q101标准:具有高可靠性,适用于汽车电子领域。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    ZXMN0545G4适用于多种应用场景,特别是需要高效率电源管理的应用,如开关电源启动电路、高压DC-DC转换器等。该MOSFET可以有效提升这些应用的效率和稳定性。
    使用建议
    1. 散热设计:由于该MOSFET的最大功率耗散较高,建议进行有效的散热设计,确保正常工作温度范围。
    2. 布线和布局:参考官方提供的封装尺寸和引脚布局图,合理安排电路板上的元件位置,以减少杂散电感的影响。
    3. 滤波电路:在输入和输出端添加合适的滤波电路,减少开关过程中的噪声干扰。

    兼容性和支持


    - 封装:采用SOT223封装,易于焊接和装配。
    - 其他支持:厂商提供详细的文档和技术支持,包括机械数据、标记信息和日期代码等,方便用户进行选型和使用。

    常见问题与解决方案


    问题1:工作温度范围
    - 问题描述:设备在高温环境下工作时性能不稳定。
    - 解决方案:确保散热措施到位,或者选择具有更低结到环境热阻的版本。
    问题2:开关损耗
    - 问题描述:开关频率高时开关损耗过大。
    - 解决方案:优化电路设计,选择合适的工作频率,增加缓冲电路以减小损耗。
    问题3:导通电阻异常高
    - 问题描述:发现导通电阻明显高于额定值。
    - 解决方案:检查连接线路是否有虚焊、短路等情况;重新焊接确保良好的电气接触。

    总结和推荐


    ZXMN0545G4是一款专为高效率电源管理设计的N-Channel Enhancement Mode MOSFET,其主要优点包括高电压耐受能力、低导通电阻、快速开关速度等,适用于各种高压直流转换场合。通过合理的散热设计和电路优化,可以充分发挥其性能优势。因此,我们强烈推荐此产品用于需要高效能和稳定性的应用场景。

ZXMN0545G4TA参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 2W(Ta)
Id-连续漏极电流 140mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 70pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 50Ω@ 100mA,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 450V
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN0545G4TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN0545G4TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN0545G4TA ZXMN0545G4TA数据手册

ZXMN0545G4TA封装设计

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