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DMN4034SSD-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.14W 20V 3V@ 250µA 18nC@ 10V 2个N沟道 40V 34mΩ@ 6A,10V 4.8A 453pF@20V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 30C-DMN4034SSD-13 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13概述

    DMN4034SSD 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN4034SSD 是一款由 Diodes Incorporated 设计并生产的 40V 双 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计的主要目标是将导通电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能。这些特性使其非常适合于高效电源管理应用,如电机控制、背光照明、DC-DC 转换器和多种电源管理功能。

    技术参数


    - 额定电压(Drain-Source Voltage, VDSS): 40V
    - 栅源电压(Gate-Source Voltage, VGS): ±20V
    - 单脉冲雪崩能量(Single Pulsed Avalanche Energy, EAS): 27mJ
    - 连续漏极电流(Continuous Drain current, ID):
    - VGS = 10V 时:6.3A (TA = 25°C),5.0A (TA = 70°C)
    - VGS = 4.5V 时:4.8A
    - 最大脉冲漏极电流(Pulsed Drain current, IDM): 24.8A
    - 热特性:
    - 最大功率耗散(Power dissipation, PD): 1.25W
    - 热阻(Junction-to-Ambient Thermal Resistance, RθJA): 100°C/W
    - 热阻(Junction-to-Lead Thermal Resistance, RθJL): 55°C/W
    - 操作和存储温度范围(Operating and Storage Temperature Range, TJ, TSTG): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 100% 非钳位感性开关测试(Unclamped Inductive Switching, UIS):保证生产过程中的可靠性。
    - 低导通电阻(Low RDS(on)):减少功耗和提高效率。
    - 快速开关速度(Fast Switching Speed):提升系统响应速度。
    - 最大总门电荷(Max Qg):适配多种驱动电路需求。
    - 环保组件(“Green” component):符合 RoHS 规范,无卤素或锑化合物。
    - 高可靠性标准(Qualified to AEC-Q101 Standards):适合高可靠性的汽车应用。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:由于其低电阻和快速开关速度,适合用于需要精确控制的电机驱动应用。
    - 背光照明:可用于 LED 或 LCD 屏幕背光应用,确保稳定的输出电流。
    - DC-DC 转换器:适用于需要高效率转换的应用场合。
    - 电源管理功能:适用于各种电源管理和电压调节场景。
    使用建议:
    - 应用在电机控制中时,应考虑负载波动对电流的影响,并选择合适的外部电阻以确保稳定运行。
    - 应用于背光照明,要考虑到发热问题,并选择适当的散热措施。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SO-8 封装。
    - 机械数据:使用绿色模塑料,UL 燃烧等级为 94V-0,满足无铅焊接标准。
    - 订购信息:DMN4034SSD-13 为 13 英寸卷带,每个卷带包含 2500 个元件。
    - 厂商支持:提供技术文档、样品、应用指南以及技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定该器件的工作温度范围?
    - 解决方案:该器件的工作和存储温度范围为 -55°C 至 150°C,确保在规定范围内使用。
    - 问题二:如何处理过高的栅源电压?
    - 解决方案:避免超过 ±20V 的栅源电压,否则可能导致器件损坏。
    - 问题三:如何选择合适的外部分压电阻?
    - 解决方案:参考产品手册中的电气特性表,根据所需电流和电压选择合适的电阻值。

    总结和推荐


    DMN4034SSD 是一款高性能的双 N 沟道增强型 MOSFET,以其出色的开关特性和低电阻著称。它适用于广泛的高效率电源管理应用,特别是在电机控制、背光照明和 DC-DC 转换器等领域表现出色。Diodes Incorporated 提供的详细技术手册和支持使其成为市场上极具竞争力的产品。推荐在高可靠性要求和高效率电源管理系统中采用此器件。

DMN4034SSD-13参数

参数
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 34mΩ@ 6A,10V
栅极电荷 18nC@ 10V
最大功率耗散 2.14W
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 4.8A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 453pF@20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN4034SSD-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN4034SSD-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN4034SSD-13 DMN4034SSD-13数据手册

DMN4034SSD-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.817
100+ ¥ 2.937
1250+ ¥ 2.563
2500+ ¥ 2.409
37500+ ¥ 2.398
50000+ ¥ 2.376
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