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DMN6013LFG-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 55.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 13mΩ@ 10A,10V 10.3A,45A 2.577nF@30V PDI-33338 贴片安装
供应商型号: DMN6013LFG-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13概述

    # DMN6013LFG 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET PowerDI技术手册

    产品简介


    DMN6013LFG 是一款由 Diodes Incorporated 设计的 60V N-通道增强模式功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用PowerDI封装,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和卓越的开关性能,特别适用于高效率电源管理应用。具体的应用包括背光照明、电源管理功能以及直流-直流转换器等。

    技术参数


    - 最大漏源电压(V(BR)DSS): 60V
    - 最大栅源电压(VGSS): ±20V
    - 连续漏电流(TA = +25°C):
    - VGS = 10V 时:10.3A
    - VGS = 4.5V 时:8.8A
    - 脉冲漏电流(10µs 脉冲,占空比 = 1%): 58.3A
    - 最大持续体二极管正向电流(IS): 3A
    - 雪崩电流(IAS): 33.3A
    - 雪崩能量(EAS): 56.8mJ
    - 总功耗(PD):
    - TA = +25°C: 1W
    - TC = +100°C: 2.1W
    - PD = 40W时,热阻RϴJC为3.2°C/W
    - 热阻(RϴJA):
    - Steady state: 123°C/W (t < 10s)
    - Steady state: 60°C/W (t < 10s)
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 静态栅阈值电压(VGS(th)): 1V 至 3V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = 10V, ID = 10A时: 9.3mΩ至13mΩ
    - VGS = 4.5V, ID = 8A时: 12.3mΩ至18mΩ
    - 体二极管正向电压(VSD): 0.7V 至 1.2V
    - 输入电容(Ciss): 2577pF
    - 输出电容(Coss): 162pF
    - 反向转移电容(Crss): 132pF
    - 总栅电荷(Qg):
    - VGS = 4.5V时: 26.6nC
    - VGS = 10V时: 55.4nC
    - 上升时间(tr): 9.9ns
    - 下降时间(tf): 11.7ns
    - 反向恢复时间(trr): 9.4ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 18.6nC

    产品特点和优势


    DMN6013LFG 的主要特点是其超低的导通电阻(RDS(ON)),确保在大电流下损耗极小。此外,其小巧的外形和热效率高的封装设计使其能够实现更高的密度应用。相比于传统的SO-8封装,它占用的电路板面积减少了约33%,有利于更紧凑的设计。此产品还完全符合欧盟RoHS标准,不含卤素和锑,是一款环保的“绿色”产品。此外,它已经通过了AEC-Q101标准的可靠性测试,具有高可靠性。

    应用案例和使用建议


    DMN6013LFG 在多种应用中表现出色,例如背光照明、电源管理和直流-直流转换器。对于这些应用场景,我们建议采用合适的PCB布局来提高散热效果,从而避免因过热导致的损坏。具体来说,可以参考技术手册中的推荐布局设计以优化产品的热性能和稳定性。

    兼容性和支持


    DMN6013LFG 与大多数常见的电子系统和其他组件兼容,可直接替换市场上同类产品。Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和全面的支持服务,以帮助客户正确使用该产品并解决任何可能遇到的问题。此外,用户可以通过访问 Diodes Incorporated 的官方网站获取更多有关封装和材料的信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何处理因过载导致的器件损坏?
    A: 为了防止过载损坏,建议采用适当的保护措施,如增加散热片或使用更大的散热器。如果仍然出现过热情况,请检查负载电流并根据需要调整。
    2. Q: 产品在高温环境下的表现如何?
    A: 在高温环境下,导通电阻会略有增加。通过良好的PCB布局和适当的冷却方法可以缓解这种情况。请参照手册中的热阻数据进行计算。
    3. Q: 如何选择合适的驱动电压?
    A: 根据具体应用需求,可以选择10V或4.5V的栅极驱动电压。推荐使用10V以获得更低的导通电阻。请确保驱动电压不超过±20V的安全范围。

    总结和推荐


    综上所述,DMN6013LFG 是一款高度可靠且性能出色的功率MOSFET。它具备极低的导通电阻和卓越的开关性能,非常适合于高效率电源管理应用。其小巧紧凑的设计和高密度安装能力使它成为众多电子设备的理想选择。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的设计者。

DMN6013LFG-13参数

参数
Id-连续漏极电流 10.3A,45A
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
栅极电荷 55.4nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.577nF@30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通用封装 PDI-33338
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN6013LFG-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN6013LFG-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN6013LFG-13 DMN6013LFG-13数据手册

DMN6013LFG-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.6609
5000+ ¥ 2.5083
8000+ ¥ 2.4646
12000+ ¥ 2.4428
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
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