处理中...

首页  >  产品百科  >  DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 3.9W(Ta),180W(Tc) 20V 3V@ 250µA 83nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3mΩ@ 50A,10V 100A 4.45nF@25V TO-252-3 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIDMTH4004LK3Q13
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13概述

    DMTH4004LK3Q 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    DMTH4004LK3Q是一款专为汽车应用设计的40V N-沟道增强型MOSFET。它具备高性能和高可靠性,适用于发动机管理系统、车身控制电子系统、DC-DC转换器及电机控制系统等场合。此款MOSFET符合AEC-Q101标准,通过PPAP认证,能够在极端环境下提供可靠稳定的性能。

    2. 技术参数


    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 40 | - | - | V | - |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | - | - | V | - |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 100 | 100 | A | TC = +25°C |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 200 | - | A | 10μs脉冲,占空比1% |
    | 最大连续体二极管正向电流 | IS | - | 100 | - | A | - |
    | 雪崩电流 | IAS | - | 30 | - | A | L = 0.2mH |
    | 雪崩能量 | EAS | - | 90 | - | mJ | L = 0.2mH |
    | 热阻抗 | RθJA | 38 | - | - | °C/W | TA = +25°C |
    | 结温范围 | TJ, TSTG | -55 | - | +175 | °C | - |

    3. 产品特点和优势


    - 高温环境适应性:工作温度可达+175°C,适合高环境温度应用。
    - 可靠的开关性能:100%无钳位电感开关测试,确保更可靠和健壮的应用。
    - 低导通电阻:典型值为2.4mΩ(VGS=10V)和4mΩ(VGS=4.5V),能最大限度地减少功率损耗。
    - 低门极电荷:典型值为35nC(VGS=4.5V)和83nC(VGS=10V),可以最小化开关损耗。
    - 环保材料:采用无卤素、锑化合物及符合RoHS标准的材料。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 发动机管理系统:适合用于燃油喷射系统中的控制电路,提高系统的稳定性和可靠性。
    - 车身控制电子系统:如车窗升降电机控制,有助于减少能耗并提升控制精度。
    - DC-DC转换器:可用于电源管理模块中,提高转换效率和稳定性。
    - 电机控制:应用于电动机驱动系统,能够实现高效的电流控制。
    使用建议:由于该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,适用于需要高可靠性、高温环境下的应用场合。在实际应用中,应充分考虑散热措施以确保MOSFET正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:TO252(DPAK),易于焊接和组装。
    - 支持服务:Diodes Incorporated提供技术支持和售后服务,帮助客户解决应用中遇到的问题。
    - 包装详情:更多信息可访问官方网站了解详细包装说明。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET出现过热现象。
    解决办法:检查散热片安装情况,确保散热良好;调整驱动信号以减小电流峰值。

    - 问题:开关过程中出现过大的浪涌电流。
    解决办法:选用合适的栅极电阻以降低开关速度,或选择更高耐压等级的MOSFET。

    7. 总结和推荐


    综合评估:DMTH4004LK3Q是一款针对汽车应用的高性能N-沟道MOSFET,具有优秀的高温环境适应性、高可靠性以及高效的开关性能。适用于发动机管理系统、车身控制电子系统、DC-DC转换器及电机控制系统等场合。由于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐在相关领域内使用。
    以上内容根据DMTH4004LK3Q的数据表进行了整理和总结,旨在为用户提供一个全面的产品介绍和技术指南。

DMTH4004LK3Q-13参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 83nC@ 10 V
通道数量 -
最大功率耗散 3.9W(Ta),180W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.45nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 50A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMTH4004LK3Q-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMTH4004LK3Q-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMTH4004LK3Q-13 DMTH4004LK3Q-13数据手册

DMTH4004LK3Q-13封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.6229 ¥ 5.5123
7500+ $ 0.6173 ¥ 5.4631
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 13780.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336