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DMN32D4SDW-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 350mW 20V 1.6V@ 250µA 1.3nC@ 10V 2个N沟道 30V 400mΩ@ 250mA,10V 650mA 50pF@15V SOT-363 贴片安装
供应商型号: DMN32D4SDW-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13概述

    # DMN32D4SDW 双通道增强型N沟道MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN32D4SDW是一款由Diodes Incorporated生产的双通道增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(ON))和优异的开关性能而著称,特别适合于高效率的电源管理应用。
    主要功能
    - 低导通电阻:在10V栅极电压下,最大导通电阻为0.4Ω;在4.5V栅极电压下,最大导通电阻为0.7Ω。
    - 低输入电容:有助于提高开关速度和减少功率损耗。
    - 快速开关速度:有助于实现高效能的电力转换。
    - 静电保护门极:增强产品的可靠性。
    - 无铅、完全符合RoHS标准:满足环保要求。
    应用领域
    - 电机控制
    - 电源管理功能
    - 直流-直流转换器
    - 背光

    技术参数


    以下是DMN32D4SDW的技术规格和性能参数:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30V
    - 最大连续漏电流(ID max):
    - TA = 25°C时,0.65A
    - TA = 70°C时,0.50A
    - 最大连续体二极管正向电流(IS):0.4A
    - 脉冲漏电流(IDM):4A(10μs脉冲,占空比1%)
    - 总功耗(PD):
    - TA = 25°C时,0.29W
    - TA = 70°C时,0.35W
    - 热阻(RθJA):
    - TA = 25°C时,420°C/W
    - TA = 70°C时,360°C/W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):-55°C到+150°C
    - 静态导通电阻(RDS(ON)):
    - 在10V栅极电压下,0.2Ω至0.4Ω
    - 在4.5V栅极电压下,0.3Ω至0.7Ω

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:减少了功率损耗,提高了效率。
    - 低输入电容:加快了开关速度,减少了延迟时间。
    - 快速开关速度:使得MOSFET能够快速响应,适合高频应用。
    - 静电保护门极:保护了MOSFET免受静电损坏。
    - 无铅且完全符合RoHS标准:符合环保要求,适用于各种应用。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的描述,DMN32D4SDW可以应用于电机控制、电源管理、直流-直流转换器和背光等领域。对于需要高效率电力转换的应用,如电源适配器和LED驱动电路,这款MOSFET表现尤为出色。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免过热。
    - 在设计电路时,应考虑选择合适的栅极电阻(RG),以优化开关速度和降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 封装:SOT363,这是一种常见的小型表面贴装封装。
    - 包装:3,000个/卷带和10,000个/卷带两种选项。
    - 制造商支持:Diodes Incorporated提供相关的技术支持和售后服务,详见官方网站。

    常见问题与解决方案


    - Q: DMN32D4SDW的最大漏电流是多少?
    - A: 最大连续漏电流在TA = 25°C时为0.65A,在TA = 70°C时为0.50A。

    - Q: 如何提高DMN32D4SDW的开关速度?
    - A: 减小栅极电阻(RG)可以提高开关速度,但需注意确保不超出器件的最大允许栅极电流。
    - Q: 如何选择合适的栅极电阻(RG)?
    - A: 栅极电阻的选择应根据具体应用需求和开关频率来决定,通常可参考厂商提供的数据表进行选择。

    总结和推荐


    综上所述,DMN32D4SDW是一款非常适合高效率电力管理应用的MOSFET,具备低导通电阻、低输入电容、快速开关速度等特点。通过合理的电路设计和散热措施,可以充分发挥其性能优势。因此,强烈推荐用于需要高性能电力转换的场合。

DMN32D4SDW-13参数

参数
栅极电荷 1.3nC@ 10V
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 650mA
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 350mW
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 250mA,10V
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN32D4SDW-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN32D4SDW-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN32D4SDW-13 DMN32D4SDW-13数据手册

DMN32D4SDW-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ ¥ 0.4436
12000+ ¥ 0.4397
库存: 100000
起订量: 10000 增量: 10000
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