处理中...

首页  >  产品百科  >  ZVP2106GTA

ZVP2106GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 450 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVP2106GTA SOT223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP2106GTA

ZVP2106GTA概述

    ZVP2106G P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET

    1. 产品简介


    ZVP2106G 是一款由 Diodes Incorporated 设计的 P-通道增强型垂直沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于高效率电源管理应用,如负载开关和直流到直流转换器。其显著特点在于低导通电阻和快速开关速度,使其成为高性能电子系统中不可或缺的组成部分。

    2. 技术参数


    ZVP2106G 的技术参数如下:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |

    | 漏源电压 | VDS | -60 | - | - | V | -
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | - | ±20 | V | -
    | 持续漏极电流 | ID | - | -450 | - | mA | TA = +25°C |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -4 | A | -
    | 热阻抗 | Rth(jc) | - | - | 55 | °C/W | -
    | 静态导通电阻 | RDS(on) | - | - | 5 | Ω | VGS = -10V, ID = -500mA |
    其他关键电气特性包括:
    - 最大击穿电压:BVDSS = -60V
    - 门限电压:VGS(th) = -1.5V ~ -3.5V
    - 输入电容:Ciss = 100pF (VDS = -18V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 开启延时时间:td(on) = 7ns (VDD = -18V, ID = -500mA)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 为 5Ω(@ VGS=-10V),确保高效能量转换。
    - 快速开关速度:有助于降低损耗并提高整体能效。
    - 环保材料:采用无卤素和无锑的环保材料,符合 RoHS 标准。
    - 高可靠性:通过 AEC-Q101 标准认证,适用于高可靠性要求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    ZVP2106G 主要应用于以下场景:
    - 负载开关:用于电池管理和负载控制。
    - DC-DC 转换器:实现高效的电源转换。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于其较高的功率耗散(PTOT = 2W),需要合理的设计散热机制,例如使用散热片或 PCB 设计优化。
    2. 保护电路:在应用中加入适当的保护电路(如瞬态电压抑制二极管)以防止电压突变造成的损害。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用 SOT223 封装,适用于标准 SMT 生产线。
    - 支持和服务:Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温下性能下降?
    解决办法:确保良好的散热设计,必要时使用热敏电阻监控温度。
    - 问题:开启延迟时间过长?
    解决办法:调整驱动电路以提高驱动信号的上升速率,减小延时。

    7. 总结和推荐


    ZVP2106G 是一款高性能的 P-通道增强型垂直沟道 MOSFET,具备低导通电阻和快速开关速度等显著优点。适用于高效率的电源管理应用,特别是在电池管理系统和直流到直流转换器等领域表现优异。强烈推荐给需要高可靠性和高性能的用户。

ZVP2106GTA参数

参数
配置 独立式双drain
Id-连续漏极电流 450mA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@18V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
最大功率耗散 2W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 500mA,10V
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVP2106GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP2106GTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP2106GTA ZVP2106GTA数据手册

ZVP2106GTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.432
50+ ¥ 2.64
1000+ ¥ 2.2
库存: 112
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.43
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336