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DMT6005LCT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.3W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250µA 47.1nC@ 10V 1个N沟道 60V 6mΩ@ 20A,10V 100A 2.962nF@30V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: DMT6005LCT
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT6005LCT

DMT6005LCT概述

    DMT6005LCT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMT6005LCT 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 60V N-通道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻(RDS(ON))和快速开关能力,非常适合于高效率的电源管理应用,如发动机管理系统、车身控制电子设备和直流-直流转换器。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 额定栅极-源极电压 (VGSS): ±20V
    - 漏极-源极电压 (VDSS): 60V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = +25°C 时: 100A
    - TC = +70°C 时: 80A
    - 最大连续体二极管正向电流 (IS): TC = +25°C 时 83A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 130A(脉冲宽度为 10μs,占空比为 1%)

    - 热参数:
    - 总功率耗散 (PD): TA = +25°C 时 2.3W
    - 结温到环境热阻 (RθJA): 52.8°C/W
    - 结温到外壳热阻 (RθJC): 1.2°C/W
    - 电容参数:
    - 输入电容 (CISS): 2,962pF(VDS = 30V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (COSS): 965pF(VDS = 30V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷 (QG):
    - VGS = 10V 时: 47.1nC
    - VGS = 4.5V 时: 23.1nC

    3. 产品特点和优势


    DMT6005LCT 的主要优势包括:
    - 100% 无钳位电感开关,确保应用更可靠和稳健
    - 低输入电容,有助于提高开关频率
    - 低输入/输出泄漏,减少功耗
    - 环保设计,符合 RoHS 标准,无卤素和锑化合物
    - 通过 AEC-Q101 标准认证,适用于高可靠性应用

    4. 应用案例和使用建议


    DMT6005LCT 适用于多种应用场合,例如发动机管理系统和车身控制电子设备。这些应用通常需要高效能和高可靠性。为了优化应用效果,建议遵循以下几点:
    - 使用适当的散热措施以避免过热。
    - 在设计电路时考虑输入电容的影响,以便选择合适的栅极驱动器。
    - 在高频率应用中,注意寄生电容对性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    DMT6005LCT 采用标准 TO220-3 封装,便于安装在标准 PCB 上。制造商提供详细的技术支持和文档,包括封装图和日期代码标记。有关更多信息,请访问 [Diodes Incorporated 网站](http://www.diodes.com/)。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 使用更大的散热片或加装风扇进行散热。 |
    | 电流过高 | 减少输入电压或增加栅极电阻,降低漏极电流。 |
    | 开关损耗过大 | 使用具有更低 QG 和 CRSS 的 MOSFET。 |

    7. 总结和推荐


    DMT6005LCT 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适合于高效率的电源管理应用。其低导通电阻、快速开关能力和环保特性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在上述应用中使用此产品,前提是需要仔细考虑散热和其他设计细节。
    总之,DMT6005LCT 是一款值得信赖的产品,适用于多种工业应用。

DMT6005LCT参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.962nF@30V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.3W(Ta),104W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 20A,10V
栅极电荷 47.1nC@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

DMT6005LCT厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT6005LCT数据手册

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DMT6005LCT封装设计

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5000+ ¥ 9.0579
8000+ ¥ 8.9003
12000+ ¥ 8.8216
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