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ZXMN10B08E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: UNP-ZXMN10B08E6TA
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA概述


    产品简介


    ZXMN10B08E6是一款由Diodes Incorporated推出的100V N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET通过独特的结构实现了低导通电阻和快速开关速度的结合,使其适用于高效、低电压的电源管理应用。该产品的主要应用领域包括DC-DC转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TA = +25°C: 1.9A
    - TA = +70°C: 1.5A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 9A
    - 持续源电流 (体二极管) (IS): 2.5A
    - 脉冲源电流 (体二极管) (ISM): 9A
    热特性
    - 功率耗散 (PD):
    - TA = +25°C: 1.1W
    - TA = +70°C: 1.7W
    - 结到环境的热阻 (RθJA):
    - TA = +25°C: 113°C/W
    - TA = +70°C: 73°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 100V
    - 栅漏泄漏电流 (IGSS): ≤100nA
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 3.0V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V: 0.23Ω
    - VGS = 4.5V: 0.30Ω
    - 前向转移电导 (gfs): 4.8S
    - 二极管前向电压 (VSD): 0.85 ~ 0.95V
    - 输入电容 (Ciss): 497pF
    - 输出电容 (Coss): 29pF
    - 反向传输电容 (Crss): 18pF
    - 栅电荷 (Qg): 5.0 ~ 9.2nC

    产品特点和优势


    ZXMN10B08E6的主要特点是其低导通电阻、快速开关速度和低栅极驱动要求。这些特性使得它非常适合于高效率、低电压的电源管理应用。此外,该产品采用SOT26封装,完全符合RoHS标准,并且不含卤素和锑,因此被视为环保产品。同时,该产品已经通过了AEC-Q101标准认证,确保了其高可靠性。

    应用案例和使用建议


    ZXMN10B08E6广泛应用于多种电源管理相关的电路中,如DC-DC转换器、电机控制等。根据手册提供的信息,这类产品通常用于需要高效率和低功耗的应用场景。例如,在DC-DC转换器中,可以显著降低功率损耗并提高系统整体效率。使用建议包括:
    - 在设计时需考虑散热问题,确保良好的通风条件或使用适当的散热片。
    - 选择合适的栅极驱动器以充分利用其快速开关速度。
    - 注意最大额定值,避免超过器件的最大工作电压和电流。

    兼容性和支持


    ZXMN10B08E6与大多数标准SOT26封装的电路板兼容。Diodes Incorporated提供了详细的文档和技术支持,包括电气特性和机械数据。客户可以通过官方网站获得更多关于封装、测试电路和兼容性的详细信息。

    常见问题与解决方案


    在使用过程中,用户可能会遇到以下问题及其解决方法:
    - 问题:过高的漏电流导致发热严重
    - 解决办法:检查工作条件是否超出了最大额定值,并优化电路设计,确保良好的散热措施。
    - 问题:开关速度不足导致效率下降
    - 解决办法:选择合适的栅极驱动器,确保驱动信号足够强,从而加快开关速度。
    - 问题:阈值电压过高导致难以导通
    - 解决办法:选择具有合适阈值电压的栅极驱动器,确保器件能够可靠地导通。

    总结和推荐


    ZXMN10B08E6是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET,特别适合用于高效率的电源管理系统。其低导通电阻、快速开关速度和环保材料使得它在众多应用场景中表现出色。我们强烈推荐此产品给对性能和效率有较高要求的设计工程师。不过,需要注意的是在使用时应严格遵循额定值限制,以确保产品的可靠性和寿命。

ZXMN10B08E6TA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 1.6A,10V
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 497pF@50V
Id-连续漏极电流 1.6A
栅极电荷 9.2nC@ 10 V
通道数量 1
配置 独立式quaddrain
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10B08E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10B08E6TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA数据手册

ZXMN10B08E6TA封装设计

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