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DMN10H220LVT-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.67W(Ta) 16V 2.5V@ 250µA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 100V 220mΩ@ 1.6A,10V 1.87A 401pF@25V TSOT-26 贴片安装 2.9mm(长度)*1.6mm(宽度)
供应商型号: DMN10H220LVT-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7概述

    # DMN10H220LVT 技术手册综述

    产品简介


    DMN10H220LVT 是一种100V N沟道增强型功率MOSFET,专为高效电源管理应用设计。它以其低导通电阻(RDS(on))和卓越的开关性能著称,适用于多种高性能电源管理场景。

    技术参数


    以下是DMN10H220LVT的主要技术参数和电气特性:
    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100V
    - 栅源电压 (VGSS): ±16V
    - 持续漏极电流 (TA = +25°C): 2.24A
    - 最大连续体二极管正向电流 (TA = +25°C): 1.50A
    - 脉冲漏极电流 (10μs脉冲, 占空比=1%): 6.60A
    热特性
    - 总功耗 (PD, TA = +25°C): 1.67W
    - 热阻抗 (Junction to Ambient, RθJA): 75°C/W
    工作和存储温度范围
    - 结温 (TJ, TSTG): -55°C 到 +150°C
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V 时, ID = 1.6A: 172mΩ (典型值)
    - VGS = 4.5V 时, ID = 1.3A: 211mΩ (典型值)
    - 门阈电压 (VGS(th)): 1V 至 2.5V (典型值)
    - 输入电容 (Ciss): 401pF (VDS = 25V, VGS = 0V)

    产品特点和优势


    - 低输入电容: 降低栅极驱动损耗。
    - 低导通电阻: 实现高效率电源管理。
    - 快速开关速度: 改善总体系统效率。
    - 完全无铅且符合RoHS标准: 环保材料,满足欧盟要求。
    - 无卤素及锑化合物: 全面符合“绿色”设备标准。

    应用案例和使用建议


    DMN10H220LVT 主要应用于DC-DC转换器、电源管理功能和背光控制等领域。例如,在DC-DC转换器中,由于其低导通电阻,可以有效减少功率损耗,提高转换效率。
    使用建议
    1. 散热设计: 为了确保可靠运行,需考虑适当的散热措施,如使用散热片或散热器。
    2. PCB布局: 在PCB设计时,建议采用推荐的焊盘布局以提高热性能。

    兼容性和支持


    DMN10H220LVT 可与其他标准组件配合使用,符合TSOT26封装标准。Diodes Incorporated提供全面的技术支持和质保服务,以确保客户能够充分利用该产品的功能。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 该产品如何安装?
    - 答: 需要将该器件安装在FR-4基板上,并使用推荐的焊盘布局和铜箔面积以确保良好的热性能。
    2. 问: 该产品是否适合高湿度环境?
    - 答: 该产品具有UL 94V-0级阻燃等级,并且符合J-STD-020湿度敏感等级1,适合在大多数湿度环境下使用。

    总结和推荐


    DMN10H220LVT 是一款出色的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度等显著特点,适用于多种电源管理应用。其环保特性、优秀的热性能和广泛的兼容性使其成为市场上的佼佼者。因此,强烈推荐在高效率电源管理系统中使用该产品。

DMN10H220LVT-7参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 401pF@25V
最大功率耗散 1.67W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 1.6A,10V
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 1.87A
长*宽*高 2.9mm(长度)*1.6mm(宽度)
通用封装 TSOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN10H220LVT-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN10H220LVT-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT-7数据手册

DMN10H220LVT-7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.2984
5000+ ¥ 1.2239
8000+ ¥ 1.2027
12000+ ¥ 1.192
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
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