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ZXMN3A04KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.15W(Ta) 20V 1V@250mA 36.8nC@ 10V 1个N沟道 30V 20mΩ@ 12A,10V 12A 1.89nF@15V TO-252-3 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: ZXMN3A04KTCCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC概述

    ZXMN3A04K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN3A04K 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,由 Diodes Incorporated 生产。该产品具有低导通电阻(RDS(ON))和优异的开关性能,适用于高效率电源管理应用。主要特点包括:低导通电阻、小体积热效率封装、无铅工艺和符合 RoHS 标准。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDSS): 30V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - VGS = 10V, TA = +25°C: 18.4A
    - VGS = 10V, TA = +70°C: 14.7A
    - VGS = 10V, TA = +25°C: 12.0A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 66A
    - 持续源电流 (体二极管) (IS): 11.5A
    - 脉冲源电流 (体二极管) (ISM): 66A
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V: 20mΩ
    - VGS = 4.5V: 30mΩ
    - 正向导通电压 (VSD): 0.85V 至 0.95V
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 5V: 19.9nC
    - VGS = 10V: 36.8nC
    - 热特性:
    - 功耗 (PD):
    - TA = +25°C: 4.3W
    - TA = +25°C: 10.1W
    - TA = +25°C: 2.15W
    - 热阻抗 (RθJA):
    - TA = +25°C: 29°C/W
    - TA = +25°C: 12.3°C/W
    - TA = +25°C: 58°C/W
    - 操作及存储温度范围: TJ, TSTG -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(ON)): 该特性使得器件在开启状态下的损耗最小化。
    2. 小型化且热效率高的封装: 可实现更高的产品密度。
    3. 无铅工艺和符合 RoHS 标准: 环保设计,满足现代电子行业标准。
    4. 符合 AEC-Q101 标准: 高可靠性保证。
    5. 小体积设计: 适用于需要高密度布置的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域: 背光、DC-DC 转换器、电源管理功能。
    - 应用示例:
    - 背光: 在 LCD 显示器中作为背光源的驱动器,因其低导通电阻和高效能适合这类高频应用。
    - DC-DC 转换器: 用于提高电源转换效率,减少热量产生。
    - 电源管理: 用于实现高效的电力分配和控制。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于大多数直流和交流电源系统,特别是那些需要高性能和高可靠性的应用。
    - 支持: Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该产品特性。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何处理过热问题?
    - 解决方案: 通过增加散热片或使用更大尺寸的散热器来降低器件温度。
    - 问题2: 如何确保器件长时间稳定运行?
    - 解决方案: 定期检查和维护,避免过载运行,遵循手册中的操作条件。
    - 问题3: 如何正确焊接?
    - 解决方案: 使用适当的焊接温度和时间,确保良好的焊接质量。

    总结和推荐


    ZXMN3A04K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件。其低导通电阻、小型化设计和环保特性使其非常适合于高效率电源管理和高密度电路布局。建议在选择电源管理、背光和 DC-DC 转换器应用时优先考虑此产品,因为它能够在提高系统效率的同时减少能耗和成本。
    以上是对 ZXMN3A04K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 的详细介绍,涵盖了基本介绍、技术参数、产品特点和优势、应用案例、兼容性支持、常见问题解决方案以及最终的综合评估和推荐。

ZXMN3A04KTC参数

参数
栅极电荷 36.8nC@ 10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@250mA
最大功率耗散 2.15W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 12A,10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.89nF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3A04KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A04KTC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A04KTC ZXMN3A04KTC数据手册

ZXMN3A04KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.5645 ¥ 21.67
10+ $ 1.5787 ¥ 13.2119
100+ $ 1.1277 ¥ 9.4372
500+ $ 0.928 ¥ 7.7658
1000+ $ 0.8628 ¥ 7.2209
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