处理中...

首页  >  产品百科  >  DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 74nC@ 10 V 1个N沟道 40V 7.5mΩ@ 10A,10V 14.4A 3.537nF@20V PDI-33338 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIDMN4008LFG7
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7概述

    DMN4008LFG 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN4008LFG 是一款由 Diodes Incorporated 生产的先进功率管理 MOSFET。它采用热效率高的封装设计,适合高效率的电源管理和背光应用。该产品广泛应用于直流-直流转换器、电源管理和背光控制等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (V(BR)DSS):40V
    - 最大导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V:7.5mΩ (14.4A)
    - VGS = 4.5V:10mΩ (12.5A)
    - 连续漏极电流 (ID max):
    - TA = +25°C:14.4A
    - TA = +70°C:11.6A
    - 脉冲漏极电流 (IMD):90A
    - 总功率耗散 (PD):
    - TA = +25°C:1.0W
    - TA = +70°C:2.3W
    - 热阻 (RθJA):
    - TA = +25°C:119°C/W
    - TA = +70°C:53°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):1μA (VDS = 40V, VGS = 0V)
    - 输入电容 (Ciss):3537pF (VDS = 20V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):257pF
    - 反向传输电容 (Crss):215pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)):确保通态损耗最小化,提升整体能效。
    - 紧凑型热效率封装:占用更少的电路板面积,有助于提高产品密度。
    - 完全无铅且符合 RoHS 标准:适用于对环保要求较高的应用场合。
    - 符合 AEC-Q101 标准:确保高可靠性。
    - 小型封装:仅占用 SO-8 封装 33% 的电路板面积,便于实现更小的产品尺寸。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:可用于背光控制、电源管理功能、直流-直流转换器等。
    - 使用建议:由于其高可靠性和低功耗特性,建议在需要高效能、高可靠性的电源管理系统中使用。例如,在汽车电子系统中作为直流-直流转换器的关键组件,或者在消费电子产品中用于电源管理。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准 MOSFET 设备无缝配合使用。
    - 支持:Diodes Incorporated 提供详细的文档和技术支持,包括包装细节、PCB 布局建议等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳的工作电压?
    - 解答:根据具体应用需求选择合适的 VGS。通常情况下,VGS = 10V 可以提供最佳的 RDS(ON) 性能。
    - 问题2:产品在高温环境下工作是否稳定?
    - 解答:该产品经过严格测试,可以在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作。但在极端条件下使用时,建议增加散热措施以保证其正常运行。
    - 问题3:如何确保产品的长寿命?
    - 解答:遵循正确的 PCB 布局指南,并确保良好的散热条件,可以显著延长产品的使用寿命。

    总结和推荐


    DMN4008LFG MOSFET 凭借其出色的导通电阻、高可靠性以及环保特性,在多种应用中展现出显著的优势。无论是电源管理还是背光控制,该产品都是一个理想的选择。考虑到其优异的性能和高可靠性,我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用这款产品。

DMN4008LFG-7参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 14.4A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ@ 10A,10V
最大功率耗散 1W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
栅极电荷 74nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.537nF@20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 PDI-33338
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN4008LFG-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN4008LFG-7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7数据手册

DMN4008LFG-7封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.24 ¥ 2.124
6000+ $ 0.2379 ¥ 2.105
库存: 2000
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
合计: ¥ 4248
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336