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ZVNL110ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 320 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 3943953
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVNL110ASTZ

ZVNL110ASTZ概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET(垂直DMOS场效应晶体管)是一种广泛应用在电力电子系统中的关键组件。它属于N沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管,主要用于电力转换和控制应用。这些器件以其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关速度而著称,适合用于驱动电机、电源管理和电池充电等领域。

    技术参数


    以下是该器件的主要技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源击穿电压 | 100 V | ID=1mA, VGS=0V |
    | 栅源阈值电压 | 0.75 | 1.5 | V | ID=1mA, VDS= VGS |
    | 零栅电压漏极电流 | 10 | 500 | µA | VDS=100 V, VGS=0 |
    | 静态漏源导通电阻 | 4.5 | 3.0 | Ω | VGS=5V,ID=250mA |
    | 转导电容 | 75 pF | VDS=25 V, VGS=0V |
    | 前向传输电容 | 25 pF | VDS=25 V, VGS=0V |
    | 反向传输电容 | 8 pF
    | 开启延时时间 | 7 ns | VDD ≈25V, VGS=10V |
    | 上升时间 | 12 ns
    | 关闭延时时间 | 15 ns
    | 下降时间 | 13 ns

    产品特点和优势


    1. 高电压耐受能力:最大100V的漏源电压使得它能够在高压环境中稳定运行。
    2. 低导通电阻:导通电阻为3Ω到4.5Ω,能够减少功率损耗,提高效率。
    3. 快速开关速度:纳秒级的开启和关闭延时时间使其适合高速应用。
    4. 低阈值电压:简化驱动电路设计,降低能耗。
    5. E-Line TO92兼容封装:提供多种封装选项,易于集成。

    应用案例和使用建议


    该器件适用于多种应用场合,例如:
    - 电机驱动:由于其高电流能力和快速响应,非常适合电机控制。
    - 电源管理:低导通电阻和快速开关特性可以显著降低系统能耗。
    - 电池充电器:其高电压耐受能力和低阻抗特性有助于实现高效的充电过程。
    使用建议:
    - 在设计驱动电路时,考虑到其低阈值电压,可以选择合适的驱动电压以确保其正常工作。
    - 对于高频应用,需要注意其输出电容和反向传输电容的影响,以优化电路设计。

    兼容性和支持


    - 该器件采用E-Line TO92兼容封装,可方便地安装在现有系统中。
    - 厂商提供详细的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开启和关闭时间过长?
    - 解决方法:检查电路设计,确保栅极驱动信号足够强,提高驱动频率。
    - 问题:发热严重?
    - 解决方法:增加散热片或优化电路布局以减少热阻。
    - 问题:电流不稳定?
    - 解决方法:检查负载条件,确保负载稳定,调整电路参数。

    总结和推荐


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET具有高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关速度等特点,适用于多种电力电子应用。它的优点包括:高效率、简单驱动和快速响应。强烈推荐此器件用于需要高性能和可靠性的电力控制系统中。

ZVNL110ASTZ参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 700mW(Ta)
Id-连续漏极电流 320mA
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 75pF@25V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,卷带包装

ZVNL110ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVNL110ASTZ数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVNL110ASTZ ZVNL110ASTZ数据手册

ZVNL110ASTZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.0693
10+ ¥ 3.0828
100+ ¥ 2.7622
500+ ¥ 2.7622
1000+ ¥ 2.6635
5000+ ¥ 2.6635
库存: 616
起订量: 17 增量: 0
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