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ZXMC3A17DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 1V@ 250µA (Min) 12.2nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 50mΩ@ 7.8A,10V 4.1A,3.4A 600pF@25V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: 30C-ZXMC3A17DN8TA SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA概述

    # Zetex ZXMC3A17DN8 MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    Zetex推出的ZXMC3A17DN8是一种新型的沟槽式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),包含N-通道和P-通道两种类型。其独特的结构设计将低导通电阻与快速开关速度相结合,使其成为高效能、低电压电源管理的理想选择。此产品广泛应用于电机驱动和液晶显示器背光照明等领域,为现代电子系统提供了高性能和可靠性的保障。
    产品类型
    - N-通道:
    - 最大漏源击穿电压:30V
    - 漏源导通电阻:0.050Ω
    - 持续漏极电流:5.4A
    - P-通道:
    - 最大漏源击穿电压:-30V
    - 漏源导通电阻:0.070Ω
    - 持续漏极电流:-4.4A
    主要功能
    - 支持低电压电源管理
    - 快速开关速度
    - 低阈值电压
    - 低门极驱动要求
    - 小型化封装(SOIC)
    应用领域
    - 电机驱动:提供精确的电流控制和高效的能量转换。
    - LCD背光照明:适用于高效率的LED驱动电路。

    2. 技术参数


    以下是ZXMC3A17DN8的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 30 | - | -30 | V
    | 漏极连续电流(N通道) | ID | 5.4 | - | - | A
    | 漏极连续电流(P通道) | ID | - | - | -4.4 | A
    | 导通电阻(N通道) | RDS(on) | 0.050 | - | 0.065 | Ω
    | 导通电阻(P通道) | RDS(on) | 0.070 | - | 0.110 | Ω
    | 输入电容 | Ciss | 600 | - | - | pF
    | 输出电容 | Coss | 104 | - | - | pF
    | 反向传输电容 | Crss | 58.5 | - | - | pF
    此外,ZXMC3A17DN8的工作温度范围为-55°C至+150°C,具有良好的热稳定性和耐用性。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:显著降低功耗,提高能效。
    - 快速开关速度:减少开关损耗,提升整体系统效率。
    - 低阈值电压:降低启动所需的电压,简化电路设计。
    - 小型化封装:适合紧凑型设计需求。
    - 低门极驱动:降低对驱动电路的要求,减少外围元件数量。
    这些特点使得ZXMC3A17DN8在市场上具备很强的竞争优势,尤其在需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:用于电动工具或家电中的无刷直流电机控制。
    - LCD背光照明:作为LED驱动电路的核心组件。
    使用建议
    - 在高功率应用中,需确保适当的散热措施以避免过热。
    - 根据具体应用场景选择合适的封装尺寸和数量。

    5. 兼容性和支持


    ZXMC3A17DN8支持多种主流电子设备,与常见的PCB布局兼容。Zetex公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热设计,增加外部散热片。 |
    | 开关噪声过大 | 调整输入滤波器参数,优化PCB布线。 |
    | 导通电阻过高 | 检查是否超出额定工作条件,更换更高性能型号。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMC3A17DN8是一款高性能的MOSFET,特别适合于高效能、紧凑型的设计需求。其卓越的导通电阻、快速开关速度及稳定的温度适应能力,使其在电机驱动和LCD背光照明等领域表现优异。强烈推荐给需要高性能电子元器件的工程师和技术人员。
    如果您正在寻找一款兼具效率和可靠性的MOSFET,ZXMC3A17DN8无疑是一个理想的选择。

ZXMC3A17DN8TA参数

参数
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 7.8A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA (Min)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 600pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4.1A,3.4A
最大功率耗散 2.1W
栅极电荷 12.2nC@ 10V
配置
FET类型 2N+2P沟道
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMC3A17DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMC3A17DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMC3A17DN8TA ZXMC3A17DN8TA数据手册

ZXMC3A17DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.279
50+ ¥ 3.421
500+ ¥ 3.113
10000+ ¥ 3.08
15000+ ¥ 3.058
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