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DMN30H4D0L-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 310mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 7.6nC@ 10 V 1个N沟道 300V 4Ω@ 300mA,10V 250mA 187.3pF@25V SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1.03mm
供应商型号: 30C-DMN30H4D0L-7 SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7概述

    DMN30H4D0L N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMN30H4D0L 是一款由 Diodes Incorporated 生产的新型 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有极低的导通电阻(RDS(ON)),同时保持优异的开关性能,适用于高效率电源管理应用。其主要功能包括:
    - 低门限电压
    - 低输入电容
    - 快速开关速度
    - 小尺寸表面贴装封装
    - 完全无铅,符合 RoHS 标准
    - 符合 AEC-Q101 标准,适用于高可靠性应用
    应用领域包括:直流-直流转换器、电源管理功能、电池供电系统、固态继电器、驱动器(如继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等)。

    2. 技术参数


    以下是 DMN30H4D0L 的主要技术规格:
    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS): 300V
    - 门源电压(VGSS): ±20V
    - 连续漏电流(TA = +25°C): 0.25A (VGS = 10V),0.20A (TA = +70°C)
    - 脉冲漏电流(10μs脉冲,占空比 ≤ 1%): 2A
    - 最大体二极管连续电流: 0.8A
    - 总功耗: 0.31W (TA = +25°C),0.47W (TA = +70°C)
    - 热阻率:RθJA = 377°C/W (TA = +25°C),RθJC = 81°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 开启特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 300V
    - 零门电压漏极电流(IDSS): ≤1.0μA (VDS = 240V)
    - 门体漏电流(IGSS): ≤±100nA (VGS = ±20V)
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - 2.1Ω 至 4Ω (VGS = 10V, ID = 0.3A)
    - 2.1Ω 至 4Ω (VGS = 4.5V, ID = 0.2A)
    - 3.8Ω 至 6Ω (VGS = 2.7V, ID = 0.1A)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 187.3pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容(Coss): 11.7pF
    - 反向传输电容(Crss): 8.7pF
    - 总门电荷(Qg): 7.6nC (VDS = 192V, VGS = 10V, ID = 0.5A)

    3. 产品特点和优势


    - 低门限电压: 有助于减少驱动所需的能量。
    - 低输入电容: 改善频率响应和功耗。
    - 快速开关速度: 降低功耗并提高效率。
    - 小表面贴装封装: 适合空间受限的设计。
    - 环保特性: 全面符合 RoHS 标准,不含卤素和锑,符合“绿色”标准。
    这些特点使其在高效率电源管理和电池供电系统中的表现尤为出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直流-直流转换器: 适合用于需要高效率和低功耗的场合。
    - 电池供电系统: 由于其低功耗和小型封装,特别适合移动设备。
    - 固态继电器和驱动器: 适用于各种电机控制应用。
    使用建议:确保电路设计时充分考虑散热问题,尤其是当连续运行电流接近其额定值时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用 SOT23 封装,适用于标准焊接工艺。与多种 PCB 布局兼容。
    - 支持: Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和质量保证。客户可以通过官网获取详细的封装和布局指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保最佳热性能?
    - A: 使用大面积铜散热板,并确保良好的散热路径。参阅应用手册中的推荐 PCB 布局。

    - Q: 如何避免击穿?
    - A: 在电路设计中严格遵守 VDSS 和 VGSS 的最大额定值。选择合适的外部电阻和电容以限制电压。

    7. 总结和推荐


    DMN30H4D0L MOSFET 是一款高性价比的高性能电子元件,适合用于高效率的电源管理和电池供电系统。其紧凑的封装、卓越的开关特性和出色的可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐在各类高效率电子系统中使用。
    如果您对更多详细信息或技术支持感兴趣,请访问 [Diodes Incorporated 官网](http://www.diodes.com) 获取最新文档和支持资源。

DMN30H4D0L-7参数

参数
栅极电荷 7.6nC@ 10 V
最大功率耗散 310mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 300mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 187.3pF@25V
Id-连续漏极电流 250mA
Vds-漏源极击穿电压 300V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN30H4D0L-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN30H4D0L-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7数据手册

DMN30H4D0L-7封装设计

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1+ ¥ 1.606
100+ ¥ 1.232
750+ ¥ 1.0296
1500+ ¥ 0.935
3000+ ¥ 0.858
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