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DMN2040U-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: DMN2040U-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2040U-7

DMN2040U-7概述

    # DMN2040U N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    基本信息
    DMN2040U 是一款高性能的N通道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有极低的导通电阻(RDS(ON))和卓越的开关性能,特别适用于高效率的电源管理应用。它广泛应用于通用接口开关和电源管理功能。

    技术参数


    以下是DMN2040U的技术规格:
    | 特性名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDSS | 20 | - | - | V | -
    | 栅源电压 | VGSS | - | ±12 | - | V | -
    | 持续漏电流(VGS = 4.5V,TA = +25°C) | ID | 6.0 | - | - | A | -
    | 最大持续体二极管正向电流 | IS | - | - | 1.6 | A | -
    | 脉冲漏电流(10μs脉冲,占空比=1%) | IDM | - | - | 30 | A | -
    | 热阻,结到环境(TA = +25°C) | RθJA | 159 | - | - | °C/W | 稳态
    | 静态漏源导通电阻(VGS = 4.5V,ID = 8.2A) | RDS(ON) | - | 21 | 25 | mΩ | -
    | 门电容 | Ciss | - | 667 | - | pF | VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    | 输出电容 | Coss | - | 91 | - | pF | -
    | 反向传输电容 | Crss | - | 83 | - | pF | -

    产品特点和优势


    产品特点
    - 低导通电阻:在VGS = 4.5V时,RDS(ON) 最小为21mΩ,最大为25mΩ。
    - 低输入电容:Ciss 最大值为667pF。
    - 快速开关速度:具有优异的开关性能。
    - 低输入/输出泄露:IGSS最大值为±100nA。
    - 环保材料:完全无铅且符合RoHS标准。
    - 无卤素和锑:绿色产品,符合“绿色”标准。
    产品优势
    - 适用于高效率电源管理,减少功耗,提升整体系统性能。
    - 在广泛的温度范围内稳定运行(-55°C 至 +150°C),适用于恶劣环境。
    - 小巧轻便,方便集成于多种电子设备中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通用接口开关:用于控制电路中不同的信号通路。
    - 电源管理:用于电池管理和充电控制。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到RθJA较高(159°C/W),建议增加散热片以提高散热效果。
    - PCB布局:使用推荐的PCB布局,确保良好的电气性能。

    兼容性和支持


    - 机械数据:采用SOT23封装,适合表面贴装工艺。
    - 包装信息:可订购带卷式包装,数量分别为3000和10000个。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 发热过高
    - 解决方案:增加散热片或改善PCB布局以提高散热效率。
    2. 开关速度慢
    - 解决方案:优化栅极驱动,降低栅极电阻。
    3. 导通电阻过大
    - 解决方案:确保正确的栅极驱动电压(VGS ≥ 4.5V),并检查是否有焊接不良的情况。

    总结和推荐



    总结


    DMN2040U是一款高性能的N通道增强型MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。其独特的设计使其成为高效率电源管理和通用接口开关的理想选择。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛应用领域,我们强烈推荐使用DMN2040U。对于需要高效率和可靠性的应用,这款MOSFET是理想的选择。

DMN2040U-7参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6A
栅极电荷 7.5nC@ 4.5 V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 12V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 800mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 8.2A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 667pF@10V
长*宽*高 3mm(长度)
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2040U-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2040U-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN2040U-7 DMN2040U-7数据手册

DMN2040U-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.3139
1500+ ¥ 0.3034
3000+ ¥ 0.2982
15000+ ¥ 0.2956
库存: 6000
起订量: 100 增量: 3000
交货地:
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