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ZVN2110G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W 20V 2.4V 1个N沟道 100V 4Ω@ 10V 6A 59pF@ 25V SOT 贴片安装
供应商型号: 9526730
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN2110G

ZVN2110G概述

    ZVN2110G N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET

    1. 产品简介


    ZVN2110G 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强模式垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET)。这款电子元器件的主要功能是在各种电力转换和控制应用中提供高效的电流控制和开关操作。ZVN2110G 广泛应用于直流-直流转换器、汽车电磁阀/继电器驱动等领域。

    2. 技术参数


    以下是 ZVN2110G 的关键技术和性能参数:
    - 最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = 100V
    - 栅源电压:VGSS = ±20V
    - 连续漏极电流:ID = 500mA
    - 脉冲漏极电流:IDM = 6A
    - 功率耗散:PD = 2W
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:BVDSS = 100V @ VGS = 0V, ID = 1mA
    - 零栅源电压漏极电流:IDSS ≤ 100µA @ VDS = 100V, VGS = 0V
    - 栅体泄漏电流:IGSS ≤ 20nA @ VGS = ±20V, VDS = 0V
    - 导通漏极电流:ID(ON) = 1.5A ~ 2A @ VGS = 10V, VDS = 25V
    - 栅源阈值电压:VGS(TH) = 0.8V ~ 2.4V @ VDS = VGS, ID = 1mA
    - 导通状态漏极-源极电阻:RDS(ON) ≤ 4Ω @ VGS = 10V, ID = 1A
    - 前向转移电导:gfs = 250mS ~ 350mS @ VDS = 25V, ID = 1A
    - 输入电容:Ciss = 59pF ~ 75pF @ VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    - 输出电容:Coss = 16pF ~ 25pF @ VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    - 反向转移电容:Crss = 4pF ~ 8pF @ VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    - 开启延时时间:tD(ON) = 4ns ~ 7ns @ VDD = 25V, ID = 1A
    - 上升时间:tR = 4ns ~ 8ns @ VDD = 25V, ID = 1A
    - 关闭延时时间:tD(OFF) = 8ns ~ 13ns @ VDD = 25V, ID = 1A
    - 下降时间:tF = 8ns ~ 13ns @ VDD = 25V, ID = 1A

    3. 产品特点和优势


    ZVN2110G 具备以下独特功能和优势:
    - 高脉冲电流能力:脉冲漏极电流可达 6A,适用于需要高瞬态电流的应用。
    - 快速开关速度:低延迟时间和上升时间,适合高速开关应用。
    - 环保材料:无铅封装,符合 RoHS 和其他环保标准,确保使用安全。
    - 高可靠性:符合 AEC-Q101 标准,适合高可靠性的工业和汽车应用。

    4. 应用案例和使用建议


    ZVN2110G 在许多应用场景中表现出色:
    - 直流-直流转换器:提供高效的能量转换,降低能耗。
    - 汽车机械装置:例如电磁阀和继电器驱动,满足汽车级标准。
    使用建议:
    - 选择合适的散热措施以保持工作温度在安全范围内。
    - 根据具体应用需求调整栅极电压,确保最佳性能。
    - 使用推荐的 PCB 布局以提高散热效率和信号完整性。

    5. 兼容性和支持


    ZVN2110G 支持多种标准应用,并且具有良好的兼容性。用户可以从 Diodes Incorporated 官网下载详细的包装信息和建议的焊盘布局。厂商提供全面的技术支持,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题:产品在高温下表现不佳。
    - 解决方案:确保安装散热片或采用高效冷却系统,以维持温度在安全范围内。

    - 问题:开关频率过高导致性能下降。
    - 解决方案:降低开关频率,优化电路设计以减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZVN2110G 是一款高性能的 N 沟道增强模式垂直 DMOS FET,具备快速开关速度、高可靠性及环保特性。它非常适合用于直流-直流转换器和汽车机械装置中。Diodes Incorporated 提供了详尽的技术支持和优质售后服务,确保用户能够充分利用这款产品的优势。因此,强烈推荐 ZVN2110G 作为电子设计工程师的首选产品。

ZVN2110G参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 10V
最大功率耗散 2W
配置 独立式withbuilt-indiode
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 59pF@ 25V
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN2110G厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN2110G数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN2110G ZVN2110G数据手册

ZVN2110G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.9502
10+ ¥ 4.5077
50+ ¥ 4.3274
200+ ¥ 4.0389
500+ ¥ 4.0389
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