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ZXMN3A14FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN3A14FTA SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA概述

    # ZXMN3A14F 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN3A14F 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N-通道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款 MOSFET 具备低导通电阻和高速开关速度的特点,非常适合用于高效率的电源管理应用。它广泛应用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关以及电机控制等领域。

    技术参数


    以下是 ZXMN3A14F 的技术规格和性能参数:
    - 最大漏源电压 (BVDSS):30V
    - 最大漏极电流 (ID):
    - VGS = 10V,TA = 25°C 时为 3.2A
    - VGS = 4.5V,TA = 25°C 时为 2.6A
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时为 65mΩ
    - VGS = 4.5V 时为 95mΩ
    - 门极电荷 (Qg):8.6nC
    - 输入电容 (Ciss):448pF
    - 输出电容 (Coss):82pF
    - 反向传输电容 (Crss):49pF
    - 静态导通时间 (td(on)):2.4ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):13.1ns
    - 热阻抗 (RθJA):
    - 额定值为 125°C/W
    - 临时条件为 83°C/W
    - 最高工作温度 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    ZXMN3A14F MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 低导通电阻:具有出色的低导通电阻特性,在不同电压条件下都能提供优异的导通性能。
    - 高速开关:具备快速开关能力,适用于需要高效能开关操作的应用场合。
    - 低门极电荷:较低的门极电荷使得驱动更加轻松,从而减少功耗。
    - 低阈值电压:降低了门极驱动要求,使操作更为便捷。
    - 无铅且符合 RoHS 规范:产品完全不含铅,并符合欧盟 RoHS 指令。
    - 无卤素和锑元素:环保设计,符合绿色产品标准。
    - 通过 AEC-Q101 标准认证:保证了高可靠性,适用于汽车电子行业。

    应用案例和使用建议


    ZXMN3A14F MOSFET 广泛应用于多个领域,例如:
    - DC-DC 转换器:利用其高效的开关性能,降低转换损耗,提高系统效率。
    - 电源管理:可用于多种电源管理功能,如断开开关、稳压器等。
    - 电机控制:由于其快速的开关能力和低导通电阻,适合驱动电机,提升系统的稳定性和效率。
    使用建议
    - 散热设计:由于其热阻较高(125°C/W),在使用过程中需要确保良好的散热设计,以避免过热。
    - 选择合适的栅极驱动器:考虑到门极电荷较高(8.6nC),建议选择能够提供足够驱动能力的栅极驱动器。
    - 优化电路布局:合理安排电路布局,减小杂散电感和电容,以提高整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMN3A14F 可与其他通用的 SOT23 封装的 MOSFET 互换,便于替换和升级。
    - 支持:Diodes Incorporated 提供全面的技术支持,包括详尽的产品文档、样品申请以及客户技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过热问题?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用合适的散热片,并避免长时间连续工作。

    - 问题2:如何优化开关性能?
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动器,并合理规划电路布局,以减少杂散电感和电容的影响。
    - 问题3:门极电荷过高怎么办?
    - 解决方案:选用驱动能力更强的栅极驱动器,或优化驱动信号的设计,以降低门极电荷的影响。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN3A14F 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 MOSFET,特别适合于高效率电源管理和开关应用。其独特的低导通电阻和高速开关特性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效、可靠的电源管理解决方案的用户来说,这款产品是一个理想的选择。强烈推荐在高效率应用中采用 ZXMN3A14F。

ZXMN3A14FTA参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 8.6nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 3.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 448pF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3.2A,10V
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3A14FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A14FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A14FTA ZXMN3A14FTA数据手册

ZXMN3A14FTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.705
100+ ¥ 1.353
750+ ¥ 1.21
1500+ ¥ 1.144
3000+ ¥ 1.089
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