处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXM61N02F

ZXM61N02F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 806mW 12V 3.4nC(Max) @ 4.5V 20V 180mΩ@ 4.5V 160pF@ 15V SOT 贴片安装
供应商型号: ET-9525270
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM61N02F

ZXM61N02F概述

    # ZXM61N02F 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    ZXM61N02F 是一款由 Zetex(现为 Dialog Semiconductor)生产的 20V N-沟道增强模式 MOSFET。
    主要功能
    - 低导通电阻:RDS(ON) = 0.18Ω(VGS = 4.5V 时)
    - 快速开关速度
    - 低阈值电压
    - 低栅极驱动需求
    - SOT23 封装
    应用领域
    适用于多种电源管理和转换场景,包括:
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理功能
    - 断开开关
    - 电机控制

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±12V
    - 持续漏极电流 (VGS = 4.5V, TA = 25°C): 1.7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 7.4A
    - 持续源电流 (体二极管) (IS): 0.8A
    - 脉冲源电流 (体二极管) (ISM): 7.4A
    - 功率耗散 (TA = 25°C): 625mW (200°C/W)
    - 工作温度范围 (Tj/Tstg): -55°C 到 +150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 20V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 1µA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): 100nA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 0.7V (ID = 250µA, VDS = VGS)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)): 0.18Ω (VGS = 4.5V, ID = 0.93A)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 极低的导通电阻 (0.18Ω),可实现高效能和低损耗。
    - 快速开关速度,适用于高频率应用。
    - 低阈值电压,降低栅极驱动要求。
    - SOT23 封装,节省空间,适用于小型化设计。
    市场竞争力
    该产品在低电压电源管理和电机控制领域具有明显的优势,特别是在需要高性能和高效率的应用中,例如直流-直流转换器。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 直流-直流转换器: ZXM61N02F 可用于提高转换效率和减小热损耗。
    - 电源管理功能: 在电池供电系统中,可以有效延长电池寿命。
    - 断开开关: 适用于各种电子设备中的电源开关应用。
    - 电机控制: 可以提高电机的响应速度和控制精度。
    使用建议
    - 散热管理: 尽量使用大面积铜箔覆铜板来增加散热面积,确保长期稳定运行。
    - 脉冲应用: 注意最大脉冲电流限制 (7.4A),避免过载导致器件损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    ZXM61N02F 可与其他标准 SOT23 封装的 MOSFET 互换使用,但需注意其电气参数以确保兼容性。
    厂商支持
    Zetex(现为 Dialog Semiconductor)提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题: 电路在高频应用中表现不佳。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保栅极和漏极走线尽可能短,以减少寄生电感。

    2. 问题: 设备在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案: 增加散热措施,如安装散热片或散热器,或者改进散热设计以确保器件处于安全的工作温度范围内。

    总结和推荐


    产品综合评估
    ZXM61N02F 是一款集高效能和低成本于一体的 MOSFET。其低导通电阻和快速开关速度使其成为低电压电源管理和电机控制应用的理想选择。
    推荐
    强烈推荐使用 ZXM61N02F 作为直流-直流转换器和其他高效率电源管理应用的核心组件。如果需要紧凑封装且具备高可靠性的 MOSFET,这款产品无疑是最佳选择。

ZXM61N02F参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 3.4nC(Max) @ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 4.5V
FET类型 -
最大功率耗散 806mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 160pF@ 15V
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装

ZXM61N02F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM61N02F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM61N02F ZXM61N02F数据手册

ZXM61N02F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 0.4333 ¥ 3.6617
50+ $ 0.3542 ¥ 2.9927
100+ $ 0.2613 ¥ 2.2083
500+ $ 0.2168 ¥ 1.8321
1500+ $ 0.2125 ¥ 1.7957
库存: 287
起订量: 15 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 18.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336