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ZXMN3B14FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.5 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-ZXMN3B14FTA
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA概述

    ZXMN3B14F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    ZXMN3B14F 是由 Zetex 生产的一款新一代沟槽式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种晶体管利用独特的结构,将低导通电阻与高速开关能力相结合,使其成为高效、低压功率管理应用的理想选择。这款 MOSFET 主要应用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关以及电机控制等领域。


    2. 技术参数



    以下是 ZXMN3B14F 的关键技术和电气特性:

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - VGS = 4.5V, TA = 25°C: 3.5 A
    - VGS = 4.5V, TA = 70°C: 2.9 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 16 A
    - 连续源电流 (ID): 2.4 A
    - 脉冲源电流 (ISM): 16 A
    - 功率耗散 (PD):
    - TA = 25°C (风冷): 8 W
    - TA = 25°C (水冷): 1.5 W
    - 工作和存储温度范围 (Tj, Tstg): -55 至 +150 °C

    - 静态特性
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 30 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 栅体漏电流 (IGSS): 100 nA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 0.7 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5V, ID = 3.1A: 0.080 Ω
    - VGS = 2.5V, ID = 2.2A: 0.140 Ω

    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 568 pF
    - 输出电容 (Coss): 101 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 66 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 3.6 ns
    - 上升时间 (tr): 4.9 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 17.3 ns
    - 下降时间 (tf): 9.8 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 6.7 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 1.8 nC

    - 二极管特性
    - 二极管正向电压 (VSD): 0.82 - 0.95 V
    - 反向恢复时间 (trr): 10.8 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 4.54 nC


    3. 产品特点和优势



    - 低导通电阻 (RDS(on)): 0.080 Ω (VGS = 4.5V, ID = 3.1A),显著提高能效。
    - 高速开关能力: 快速开关时间,适用于高频率应用。
    - 低栅极驱动: 仅需 2.5V 即可有效驱动。
    - SOT23 封装: 小型封装,节省空间,便于集成。


    4. 应用案例和使用建议



    - DC-DC 转换器: 利用其高速开关能力和低导通电阻,适合用于高效电源转换。
    - 电源管理功能: 在服务器和通信设备中实现高效的电源管理和负载调节。
    - 断开开关: 作为高压隔离和短路保护的关键组件。
    - 电机控制: 用于驱动和控制小型电机,确保精确和稳定的运行。

    使用建议:
    - 在高电流应用中,建议并联使用多个器件以分散热量。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高负载条件下。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性: ZXMN3B14F 可与其他标准 SOT23 封装的 MOSFET 兼容。
    - 支持: Zetex 提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括电话、电子邮件和官方网站查询。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题: 导通电阻过高
    - 解决方案: 确保 VGS 足够高,通常需要大于阈值电压 VGS(th)。
    - 问题: 开关时间过长
    - 解决方案: 优化电路设计,减少外部寄生电容的影响。
    - 问题: 过热
    - 解决方案: 使用合适的散热片或改进散热设计,确保良好的空气流动。


    7. 总结和推荐



    ZXMN3B14F 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有出色的导通电阻和高速开关能力。适用于多种高效率电源管理应用。凭借其独特的功能和广泛的应用领域,我们强烈推荐在需要高效率和高速度的场合使用此产品。

ZXMN3B14FTA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 568pF@15V
Id-连续漏极电流 2.9A
栅极电荷 6.7nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 3.1A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1W(Ta)
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3B14FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3B14FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA数据手册

ZXMN3B14FTA封装设计

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9000+ $ 0.2113 ¥ 1.7703
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