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ZXMN3F30FHTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: ZXMN3F30FHTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA概述

    ZXMN3F30FH 30V SOT23 N-channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    ZXMN3F30FH 是一种采用SOT23封装的30V N沟道增强模式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻的特点。这款MOSFET的主要特性包括:适用于DC-DC转换器、电源管理功能和电机控制等应用领域。其核心优势在于低功耗和高效率,能够显著提升系统的可靠性和性能。

    技术参数


    - 主要技术规格:
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \):30V
    - 门极电压范围 \( V{GS} \):±20V
    - 漏极连续电流 \( ID \)(在25°C下):4.6A(当 \( V{GS}=4.5V \))
    - 漏极脉冲电流 \( I{DM} \):21A
    - 功率耗散 \( PD \)(在25°C下):0.95W 或 1.4W(具体取决于安装条件)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V(BR)DSS \):30V
    - 零门极电压漏极电流 \( I{DSS} \):0.5μA
    - 门体泄漏电流 \( I{GSS} \):100nA
    - 门极源极阈值电压 \( V{GS(th)} \):1.0V 至 3.0V
    - 导通状态电阻 \( R{DS(on)} \)(在10V门极电压下):0.047Ω
    - 门极输入电容 \( C{iss} \):318pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 在10V门极电压下的典型值为0.047Ω,可有效降低损耗并提高效率。
    - 4.5V门极驱动能力:允许使用较低的驱动电压,简化电路设计。
    - SOT23封装:小体积,适合紧凑型设计需求。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:
    - DC-DC转换器:适用于各种功率调节和稳压应用。
    - 电源管理功能:可用于电池管理系统和充电器设计。
    - 电机控制:适用于电动机的驱动和控制。
    - 使用建议:
    - 在使用时需注意热管理,确保散热良好,避免过热导致性能下降。
    - 谨慎选择外围电路组件,以确保电气特性的最佳匹配。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 可与其他标准SOT23封装的MOSFET进行互换。
    - 具有良好的互操作性,便于集成到现有系统中。
    - 厂商支持:
    - Zetex Semiconductors提供全面的技术支持和售后服务,客户可通过其全球销售网络获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:在高负载情况下,MOSFET是否会发热?
    - A:是的,需要进行有效的散热处理,建议使用散热片或散热器来辅助散热。

    - Q:如何测试MOSFET的工作状态?
    - A:可以通过万用表测量其门极源极阈值电压 \( V{GS(th)} \) 和导通状态电阻 \( R{DS(on)} \) 来进行测试。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN3F30FH是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、4.5V门极驱动能力和优良的封装形式,适用于多种工业应用场合。其高效的性能和广泛的应用范围使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐将此产品用于新设计中,以实现更高效、可靠的系统。

ZXMN3F30FHTA参数

参数
Id-连续漏极电流 3.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@ 3.2A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 950mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 318pF@15V
通道数量 1
栅极电荷 7.7nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.12mm(Max)
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3F30FHTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3F30FHTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA数据手册

ZXMN3F30FHTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.8832
30000+ ¥ 0.8678
33000+ ¥ 0.8602
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