处理中...

首页  >  产品百科  >  DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 4.7W(Ta),136W(Tc) 20V 4V@ 250µA 95.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 3.4mΩ@ 100A,10V 100A 4.556nF@30V TO-263 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIDMTH6004SCTBQ13
供应商: Avnet
标准整包数: 800
DIODES 场效应管(MOSFET) DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13概述

    DMTH6004SCTBQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    DMTH6004SCTBQ 是一款60V N-Channel增强型MOSFET,专为汽车应用而设计。它符合AEC-Q101标准,并且具有高可靠性。此MOSFET适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - Drain-Source电压 (VDSS): 60V
    - Gate-Source电压 (VGSS): ±20V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (TC = +25°C):163A(硅限)/ 100A(封装限)
    - 脉冲漏极电流 (10μs脉冲, TC = +25°C):400A
    - 最大连续体二极管正向电流 (TC = +25°C):100A
    - 热参数:
    - 结点至环境热阻 (RθJA): 32°C/W
    - 结点至外壳热阻 (RθJC): 1.1°C/W
    - 其他参数:
    - 动态开关时间 (tD(ON)): 13.2ns
    - 静态栅极电荷 (Qg): 95.4nC
    - 输入电容 (Ciss): 4,556pF (VDS = 30V, VGS = 0V)

    3. 产品特点和优势


    - 温度适应性强: 额定至+175°C,适合高温环境。
    - 可靠性和鲁棒性: 100%无钳位电感开关,确保应用更可靠。
    - 低电阻: RDS(ON) 为2.9至3.4mΩ@VGS = 10V,ID = 100A,最小化功耗。
    - 快速开关: 低Qg(95.4nC),降低切换损耗。
    - 环保材料: 无铅无卤素,符合RoHS标准。
    - 高可靠性: 符合AEC-Q101标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: DMTH6004SCTBQ特别适用于汽车引擎管理系统,例如用于调节油门控制。其高耐温性和低电阻使得其非常适合这些高功率需求的应用场景。

    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热,建议采用大面积铜板散热。
    - 在进行开关操作时,确保充分的散热措施以避免过热导致损坏。
    - 由于其低RDS(ON),使用时应避免过载,以免导致组件过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: DMTH6004SCTBQ采用TO263AB (D2PAK)封装,易于与其他符合该标准的器件兼容。
    - 支持: Diodes Incorporated提供详细的技术文档和产品支持,包括电路图设计支持和售后技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保最佳散热?
    - A: 建议采用大面积铜板作为散热片,并确保良好的空气流通。可以参考Diodes Incorporated提供的散热设计指南。

    - Q: 如何检查MOSFET的性能?
    - A: 可以通过测量其静态RDS(ON)和动态开关时间来检查。具体测试方法可参考产品手册。

    7. 总结和推荐


    DMTH6004SCTBQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET是一款高性能、高可靠性的MOSFET,特别适合于汽车引擎管理系统和类似应用。其高耐温性、低功耗和优秀的开关性能使其在市场上具备较强的竞争力。建议在需要高性能和高可靠性应用场景中使用此产品。

DMTH6004SCTBQ-13参数

参数
最大功率耗散 4.7W(Ta),136W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4mΩ@ 100A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.556nF@30V
栅极电荷 95.4nC@ 10 V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMTH6004SCTBQ-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMTH6004SCTBQ-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMTH6004SCTBQ-13 DMTH6004SCTBQ-13数据手册

DMTH6004SCTBQ-13封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 1.4971 ¥ 13.2497
2400+ $ 1.4838 ¥ 13.1314
库存: 800
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 10599.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336