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DMN3026LVT-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.2W(Ta) 20V 2V@ 250µA 12.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 23mΩ@ 6.5A,10V 6.6A 643pF@15V TSOT-23-6 贴片安装
供应商型号: 30C-DMN3026LVT-7 TSOT26
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7概述

    DMN3026LVT 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    DMN3026LVT 是一款由 Diodes Incorporated 设计和制造的30V N-通道增强型模式MOSFET。这款 MOSFET 旨在通过最小化导通电阻(RDS(ON))并保持卓越的开关性能,为高效率电源管理应用提供可靠支持。主要功能包括低输入电容、低导通电阻、快速开关速度以及环保特性。这些特性使其适用于直流到直流转换器、电源管理和背光系统等多种应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压:V(BR)DSS = 30V
    - 栅源电压:VGSS = ±20V
    - 连续漏电流(稳态):TA = +25°C 时 6.6A,TA = +70°C 时 5.3A
    - 脉冲漏电流(10μs脉冲,占空比1%):IDM = 35A
    - 最大体二极管正向电流:IS = 3.0A
    - 总功耗(TA = +25°C):PD = 1.2W,TA = +70°C 时 PD = 0.8W
    - 热阻(稳态,TA = +25°C):RθJA = 100°C/W
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻(VGS = 10V,ID = 6.5A):RDS(ON) ≤ 23mΩ
    - 导通电阻(VGS = 4.5V,ID = 6.0A):RDS(ON) ≤ 30mΩ
    - 输入电容(VDS = 15V,VGS = 0V,f = 1.0MHz):Ciss ≤ 643pF
    - 输出电容(VDS = 15V,VGS = 0V,f = 1.0MHz):Coss ≤ 65pF
    - 反向传输电容(VDS = 0V,VGS = 0V,f = 1.0MHz):Crss ≤ 49pF
    - 总门电荷(VGS = 4.5V,ID = 4.0A):Qg ≤ 5.7nC
    - 开关延迟时间(VGS = 10V,VDD = 15V,RG = 6.0Ω,ID= 6.5A):tD(on) ≤ 2.2ns

    产品特点和优势


    - 低输入电容:降低电路响应时间,提高系统整体效率。
    - 低导通电阻:显著减少损耗,提升能效。
    - 快速开关速度:减少开关损耗,实现高效能转换。
    - 环保设计:符合RoHS和无卤素标准,完全无铅封装。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101标准认证,适用于高可靠性需求的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该 MOSFET 常用于直流到直流转换器、电源管理系统和背光系统中。例如,在一个DC-DC转换器中,它能够提供稳定的输出电压,减少损耗,提高效率。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在安装时使用适当的散热措施,如加装散热片。同时,根据实际应用场景选择合适的栅极电阻以优化开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 具有广泛的应用兼容性,可与其他标准组件配合使用。
    - 支持和服务:Diodes Incorporated 提供全面的技术支持,包括详细的技术文档、设计指南和售后服务,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查是否正确设置了栅极电压(VGS),确保其达到器件的最佳性能点。
    - 问题2:过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或改善空气流动。

    总结和推荐


    综上所述,DMN3026LVT是一款出色的30V N-通道MOSFET,以其低导通电阻、快速开关速度和环保设计在众多应用中表现出色。强烈推荐此款产品用于需要高效能和稳定性的应用场合。

DMN3026LVT-7参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 6.5A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 643pF@15V
栅极电荷 12.5nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式quaddrain
Id-连续漏极电流 6.6A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.2W(Ta)
通用封装 TSOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3026LVT-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3026LVT-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7数据手册

DMN3026LVT-7封装设计

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