处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXM61N03F

ZXM61N03F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 806mW 20V 1V(Min) 4.1nC(Max) @ 10V 1个N沟道 30V 220mΩ@ 10V,300mΩ@ 4.5V 150pF@ 25V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 9525289
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM61N03F

ZXM61N03F概述

    ZXM61N03F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXM61N03F 是一款由 Zetex 生产的30V N沟道增强型MOSFET,专为高密度应用设计。该产品结合了低导通电阻和快速开关速度的优点,使其成为高效率、低电压电源管理应用的理想选择。其主要功能包括低阈值电压、低栅极驱动和SOT23封装,适用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关及电机控制等多种应用场景。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDSS): 30V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(VGS=10V, TA=25°C): 1.4A
    - 连续漏电流(VGS=10V, TA=70°C): 1.1A
    - 脉冲漏电流(VGS=10V): 7.3A
    - 最大功耗(TA=25°C): 625mW
    - 热阻(junction to ambient): 200°C/W (静止空气)
    - 典型导通电阻(VGS=10V, ID=0.91A): 0.22Ω
    - 零栅压漏电流(VDS=30V, VGS=0V): 1μA
    - 栅体泄漏电流(VGS=±20V, VDS=0V): 100nA
    - 栅源阈值电压(ID=250μA, VDS=VGS): 1.0V
    - 输入电容(VDS=25V, VGS=0V): 150pF
    - 输出电容(f=1MHz): 35pF
    - 反向转移电容(f=1MHz): 15pF
    - 上升时间(VDD=15V, ID=0.91A): 2.5ns
    - 关断延迟时间(VDD=15V, ID=0.91A): 5.8ns
    - 反向恢复时间(TJ=25°C, IF=0.91A, di/dt=100A/µs): 11.0ns
    - 正常化导通电阻(VGS=10V, ID=0.91A): 0.22Ω

    产品特点和优势


    ZXM61N03F 的关键特点是低导通电阻和快速开关速度。这些特性使其在高效率和低电压应用中表现出色。低导通电阻(0.22Ω)确保了较低的功率损耗,而快速开关速度则提高了系统的整体性能。此外,其SOT23封装便于集成到各种电路板设计中。

    应用案例和使用建议


    ZXM61N03F 广泛应用于多种场合,如直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制。例如,在直流-直流转换器中,它可以有效地进行电源转换和调节。对于断开开关应用,低导通电阻和快速开关速度有助于减少功耗并提高系统可靠性。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,注意保持适当的散热措施,以避免过热。
    - 确保在设计电路时合理选择外围元件,以最大限度地发挥其性能优势。
    - 对于高频应用,考虑使用较低的栅极驱动电压以降低栅极噪声。

    兼容性和支持


    ZXM61N03F 可以与其他标准SOT23封装的元件兼容,方便在现有设计中替换。Zetex公司提供了详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高温度下运行时,发热严重。
    - 解决方案: 采用散热片或散热器来提高散热效果,确保MOSFET在安全的工作温度范围内运行。

    2. 问题:在高频应用中,MOSFET出现了不稳定现象。
    - 解决方案: 使用低阻抗的栅极驱动器和合理的栅极电阻值,以减少栅极噪声的影响。

    3. 问题:长时间工作后,MOSFET性能下降。
    - 解决方案: 定期检查MOSFET的安装和连接,确保没有虚焊或接触不良的情况。

    总结和推荐


    ZXM61N03F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 结合了低导通电阻和快速开关速度的优点,非常适合高效率、低电压电源管理应用。其出色的性能和广泛的适用性使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在相关应用中使用该产品,尤其是在需要高效率和可靠性的场合。
    如果您对这款产品有任何疑问或需要进一步的支持,可以联系 Zetex 的客户服务团队获取帮助。

ZXM61N03F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V(Min)
栅极电荷 4.1nC(Max) @ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 10V,300mΩ@ 4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 806mW
Id-连续漏极电流 -
配置 独立式withbuilt-indiode
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXM61N03F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM61N03F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM61N03F ZXM61N03F数据手册

ZXM61N03F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7682
50+ ¥ 1.5532
100+ ¥ 1.4337
500+ ¥ 1.3381
1500+ ¥ 1.3381
库存: 7727
起订量: 30 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.84
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336