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ZVN3306ASTOA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 625mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 60V 5Ω@ 500mA,10V 270mA 35pF@18V TO-92-3 导线安装,通孔安装
供应商型号: CSCS-ZVN3306ASTOA
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN3306ASTOA

ZVN3306ASTOA概述

    # N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET(以下简称“DMOS FET”)是一种具有高可靠性的电子元器件。它主要用于电源管理和控制领域,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。这款DMOS FET能够实现高效的电压和电流控制,从而提高系统的整体效率和稳定性。

    技术参数


    以下是DMOS FET的关键技术规格和技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | 60 | V | -
    | 持续漏极电流(Tamb=25°C) | 270 | mA | -
    | 脉冲漏极电流 | 3 | A | -
    | 门源电压 | ±20 | V | -
    | 在25°C下的最大耗散功率 | 625 | mW | -
    | 工作和存储温度范围 | -55 | +150 | °C |
    电气特性(在25°C下)
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源击穿电压 | 60 | V | ID=1mA, VGS=0V |
    | 门源阈值电压 | 0.8 | 2.4 | V | ID=1mA, VDS= VGS |
    | 门体漏电 | 20 | nA | VGS=±20V, VDS=0V |
    | 零门电压漏极电流 | 0.5 | 50 | µA | VDS=60V, VGS=0 |
    | VDS=48V, VGS=0V, T=125°C (2) µA
    | 正向转移导通率(1)(2) | 150 | mS | VDS=18V, ID=500mA |
    | 输入电容(2) | 35 | pF
    | 共源输出电容(2) | 25 | pF | VDS=18V, VGS=0V, f=1MHz |
    | 反向转移电容(2) | 8 | pF
    | 开启延迟时间(2)(3) | 5 | ns | VDD ≈18V, ID=500mA |
    | 上升时间(2)(3) | 7 | ns
    | 关闭延迟时间(2)(3) | 6 | ns | 下降时间(2)(3) | 8 | ns |
    注:(1)脉冲条件下的测量值。宽度=300μs。占空比≤2%。(2)样品测试。(3)VDD ≈18V,ID=500mA。

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:DMOS FET具有60V的漏源电压,能够在高压环境中稳定运行。
    2. 低导通电阻:在标准条件下,其导通电阻仅为5Ω,可确保高效电流传输。
    3. 快速开关性能:得益于其低电容特性,DMOS FET能够实现快速的开启和关闭,减少能耗和热损耗。
    4. 宽工作温度范围:可以在-55°C到+150°C之间正常工作,适用于多种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    DMOS FET适用于多种电路设计中,例如:
    - 开关电源:利用其快速开关特性,减少电力损耗,提高电源效率。
    - 电机驱动:通过精确控制电流,实现电机的平滑启动和停止。
    - 逆变器:利用其高压耐受能力,确保在高负载环境下稳定运行。
    使用建议:
    1. 温度管理:虽然DMOS FET能在广泛的温度范围内工作,但长时间高温工作会增加其热损耗。因此,在高负载情况下需要加强散热措施。
    2. 驱动电路设计:由于其门源电压较高,需设计合适的驱动电路以保证安全可靠的驱动效果。
    3. 电路保护:建议在使用过程中加入过压和过流保护措施,以延长使用寿命并增强系统稳定性。

    兼容性和支持


    DMOS FET采用TO92封装,易于与各种电路板集成。厂商提供详细的参考设计文档和支持服务,帮助客户进行产品选型和设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品温度过高导致故障。
    解决方案:确保良好的散热设计,可使用散热片或散热器来降低工作温度。
    2. 问题:驱动电路不稳定导致性能下降。
    解决方案:检查驱动电路设计,确保门极电压符合要求,并使用高质量的驱动芯片。
    3. 问题:产品在极端温度下工作时性能下降。
    解决方案:选用适合极端温度工作的DMOS FET型号,并优化电路布局以减少热应力。

    总结和推荐


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET凭借其高性能和可靠性,非常适合用于高压、高电流的应用场合。其低导通电阻、快速开关特性和宽工作温度范围使其成为许多电路设计的理想选择。建议在设计和应用中充分考虑其特点和使用注意事项,以获得最佳性能。总之,该产品值得推荐。

ZVN3306ASTOA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 35pF@18V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 270mA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 625mW(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
通道数量 1
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
包装方式 卷带包装

ZVN3306ASTOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN3306ASTOA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN3306ASTOA ZVN3306ASTOA数据手册

ZVN3306ASTOA封装设计

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