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DMN2250UFB-7B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 3.1nC@ 10 V 1个N沟道 20V 170mΩ@ 1A,4.5V 1.35A 94pF@16V DFN 贴片安装 600μm*1mm*470μm
供应商型号: 30C-DMN2250UFB-7B X1-DFN1006-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B概述

    DMN2250UFB N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMN2250UFB 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated公司推出。这款MOSFET专门设计用于减少导通电阻(RDS(on)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效率电源管理应用。其主要功能包括低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容和快速开关速度。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 20V
    - 漏极连续电流 (ID): 1.35A @ VGS = 4.5V (TA = +25°C)
    - 门极-源极电压 (VGSS): ±8V
    - 最大体二极管持续电流 (IS): 1A
    - 热阻 (RθJA): 278°C/W (TA = +25°C)
    - 静态特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.17Ω @ VGS = 4.5V (ID = 1A)
    - 0.23Ω @ VGS = 2.5V (ID = 1A)
    - 0.25Ω @ VGS = 1.8V (ID = 1A)

    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 94pF (VDS = 16V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容 (Coss): 12pF
    - 门极电阻 (Rg): 87.1Ω
    - 总门极电荷 (Qg): 1.4nC @ VGS = 4.5V
    - 工作温度范围:
    - 操作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C to +150°C

    3. 产品特点和优势


    DMN2250UFB 的主要特点包括:
    - 极低的导通电阻 (RDS(on))
    - 低栅极阈值电压 (VGS(TH))
    - 低输入电容
    - 快速开关速度
    - ESD保护门极
    - 无铅且完全符合RoHS标准
    - 通过AEC-Q101标准认证,具有高可靠性

    4. 应用案例和使用建议


    DMN2250UFB 广泛应用于各种电源管理和DC-DC转换器中。例如,在高效率的电源管理系统中,它可以通过降低导通电阻来提高系统的能效。为了优化其性能,建议:
    - 在实际应用中确保散热设计良好,以防止过热。
    - 选择合适的门极驱动电路,以充分利用其快速开关特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:DMN2250UFB 可与其他标准封装的N沟道MOSFET直接替换使用。
    - 支持:Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和文档资源,可在官方网站上获取详细的封装和垫片布局信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏极电流导致器件过热。
    - 解决方案:检查散热设计,确保良好的热传导。
    - 问题2:无法实现预期的开关速度。
    - 解决方案:调整门极驱动电路,增加门极电阻以改善开关速度。

    7. 总结和推荐


    DMN2250UFB 是一款高效、可靠的N沟道增强型MOSFET,适用于高效率电源管理和DC-DC转换器应用。其出色的电气特性和广泛的应用范围使其在市场上具有很高的竞争力。建议对高效率要求高的应用场景中采用此产品。

DMN2250UFB-7B参数

参数
栅极电荷 3.1nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 1.35A
Vgs-栅源极电压 8V
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 1A,4.5V
配置 独立式
最大功率耗散 500mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 94pF@16V
长*宽*高 600μm*1mm*470μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2250UFB-7B厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2250UFB-7B数据手册

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DMN2250UFB-7B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 0.3817
500+ ¥ 0.3465
2500+ ¥ 0.3212
5000+ ¥ 0.2992
10000+ ¥ 0.2805
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